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FN21X681K500PXG 發(fā)布時間 時間:2025/5/26 19:41:26 查看 閱讀:14

FN21X681K500PXG 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,適用于高效率功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電阻、高開關(guān)速度以及優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
  FN21X681K500PXG 的設(shè)計使其非常適合工業(yè)、通信電源、電機驅(qū)動以及消費類電子產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域。其封裝形式優(yōu)化了散熱性能,同時支持表面貼裝技術(shù),便于自動化生產(chǎn)。

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-Channel
  最大漏源電壓(Vds):650V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):42A
  導通電阻(Rds(on)):45mΩ
  總功耗(Ptot):395W
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
  封裝形式:TO-247-3

特性

FN21X681K500PXG 具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),可有效降低傳導損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
  3. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下長期可靠運行。
  4. 內(nèi)置反向恢復二極管,減少開關(guān)過程中的能量損耗。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
  6. 封裝設(shè)計支持高功率密度和高效的散熱管理。
  7. 良好的抗靜電能力 (ESD),提高器件在實際應(yīng)用中的耐用性。

應(yīng)用

FN21X681K500PXG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機驅(qū)動和控制電路。
  3. 工業(yè)逆變器和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)。
  4. 太陽能微逆變器和儲能系統(tǒng)。
  5. 電動車充電設(shè)備和車載電子系統(tǒng)。
  6. 高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 LED 驅(qū)動電路。
  7. 任何需要高效率功率開關(guān)的場景。

替代型號

IRFP260N, FDP067N06L, STP06NK60Z

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