FN31X333K500PXG 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電源管理等�(chǎng)景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式� PXG,具有良好的散熱特性和電氣性能�
該型�(hào)中的具體參數(shù)如耐壓、電流等需要結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)選擇,適用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(shè)備等�(lǐng)域�
�(lèi)型:MOSFET
耐壓�500V
�(dǎo)通電阻:333mΩ
連續(xù)漏極電流:約 18A(根�(jù)工作溫度有所變化�
封裝:PXG
柵極電荷:典型� 28nC
總電容:� 1200pF
功耗:取決于具體電路設(shè)�(jì)
FN31X333K500PXG 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá) 500V 的電�,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(333mΩ�,有助于降低功耗并提高效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,柵極電荷小,可有效減少�(kāi)�(guān)損��
4. �(yōu)化的熱阻�(shè)�(jì),確保在高功率密度下的穩(wěn)定運(yùn)��
5. 良好的電磁兼容性,適應(yīng)�(fù)雜電磁環(huán)境下的應(yīng)用需��
6. 封裝形式 PXG 提供了更好的�(jī)械強(qiáng)度和散熱性能,滿(mǎn)足苛刻的工業(yè)要求�
FN31X333K500PXG 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器,作為主�(kāi)�(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,支持高效能電機(jī)控制�
3. 太陽(yáng)能逆變�,實(shí)�(xiàn)能量�(zhuǎn)換與傳輸�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品,例如筆記本適配器和充電器�
6. 電動(dòng)汽車(chē)充電樁和其他高壓功率管理系統(tǒng)�
IRF540N, STP55NF06L, AO3400A