FQA65N20是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用Trench技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種電源管理�(yīng)用。其額定電壓�200V,適合高壓環(huán)境下的高效能�(zhuǎn)換和開關(guān)操作�
這款MOSFET通常用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載切換等場景�,能夠提供高效的電流傳輸能力和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�6.7A
�(dǎo)通電阻:140mΩ
柵極電荷�13nC
輸入電容�950pF
總功耗:15W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
FQA65N20采用了先進的Trench MOSFET技�(shù),具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),在典型值下僅為140mΩ,這使得器件在大電流應(yīng)用場景中的功率損耗大幅降��
2. 快速開�(guān)能力,得益于小的柵極電荷Qg�13nC),確保了高頻操作時的高效率�
3. 高雪崩能量能力,增強了器件在異常情況下的魯棒��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)�(guī)范�
5. 小巧封裝(DPAK或TO-252�,便于PCB布局和散熱設(shè)��
FQA65N20廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 負載切換及保護電�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率級控制
該器件因其優(yōu)異的電氣性能和可靠性,在上述應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適合需要高效率和高可靠性的場景�
FQA65N20L
FDP18N20
IRF640
STP65NF20