FQB11P06TM-SP001P是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用小尺寸封裝�(shè)�(jì)。它主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特性,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低能��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻:1.3mΩ(典型�,@Vgs=10V�
柵極-源極電壓:�20V
功耗:7.4W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
FQB11P06TM-SP001P具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用�
3. 小尺寸封�,節(jié)省PCB空間�
4. 高度可靠的熱�(wěn)定�,適用于�(yán)苛環(huán)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. �(nèi)置反向二極管,提供額外保�(hù)功能�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于各類(lèi)電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
3. �(fù)載開(kāi)�(guān)與負(fù)載保�(hù)電路�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)及控��
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率切��
FQP11N06L, IRFZ44N, AO3400