時間�2025/5/12 13:19:34
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FQB12N60C是一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），廣泛應用于需要高效率、低損耗的開關應用�。該器件采用先進的制造工�，具有較低的導通電阻和良好的開關性能，適用于高頻電源轉換�、電機驅動以及負載開關等場景�
其耐壓值為600V，能夠在高壓�(huán)境下可靠工作，并且具備快速開關能力以減少開關損�。此�，F(xiàn)QB12N60C采用了TO-247封裝形式，有助于散熱并適合大功率應用場景�
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻：3.5Ω（典型�，在Vgs=10V時）
柵極電荷�85nC（典型值）
反向恢復時間�90ns（典型值）
功耗：480W（在指定殼溫下）
結溫范圍�-55℃至+175�
封裝形式：TO-247
FQB12N60C具備以下顯著特性：
1. 高耐壓能力，能夠承受高�600V的漏源電�，適用于多種高壓電路�
2. 極低的導通電�，有效降低導通損耗，提升整體系統(tǒng)效率�
3. 快速開關速度，減少開關過程中的能量損�，特別適合高頻開關應��
4. 良好的熱�(wěn)定�，能夠在高溫�(huán)境下長時間穩(wěn)定運��
5. TO-247封裝提供出色的散熱性能，確保大電流條件下的可靠��
6. 符合RoHS標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
FQB12N60C主要應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的功率因數校正（PFC）電��
2. 電機驅動電路，用于控制交流或直流電機的速度和方��
3. 太陽能逆變�，作為功率轉換的關鍵組件�
4. 各種工業(yè)自動化設備中的負載開關和保護電路�
5. 高頻DC-DC轉換�，用于提高能源轉換效��
6. 電動汽車充電樁及其他高壓電力電子設備�
FQD12N60C, FQA12N60C
