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SIR462DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 1:06:09 查看 閱讀：8

SIR462DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 灃道整流二極管，采用小型表面貼裝封裝（DO-214AC，也稱為 DPAK 封裝）。該器件設(shè)計(jì)用于高頻和高效率應(yīng)用，具有超快恢復(fù)時(shí)間和低正向電壓降的特點(diǎn)。其主要用途包括開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。
　　這款二極管通過(guò)優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)和封裝技術(shù)，在提供高浪涌電流能力的同時(shí)，保持了較低的反向漏電流和出色的熱性能。

參數(shù)

最大重復(fù)峰值反向電壓：100V
　　最大平均正向電流：8A
　　最大浪涌電流：200A
　　正向電壓降（IF=8A）：0.75V
　　反向恢復(fù)時(shí)間：40ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　存儲(chǔ)溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

SIR462DP-T1-GE3 采用了先進(jìn)的硅芯片技術(shù)，具備以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的正向電壓降 (VF)，有助于減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 超快的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)，使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
　　3. 高額定電流和浪涌電流能力，能夠承受瞬態(tài)沖擊并確�？煽啃浴�
　　4. 寬工作溫度范圍，適合在惡劣環(huán)境下運(yùn)行。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
　　6. 表面貼裝封裝形式，便于自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

SIR462DP-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和快速切換的場(chǎng)景，具體包括：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的整流和續(xù)流功能。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊中的同步整流。
　　3. 逆變器電路中的輸出整流。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的續(xù)流保護(hù)。
　　5. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源系統(tǒng)的功率處理部分。
　　6. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率管理單元。

替代型號(hào)

SIR462DP
　　SIR462DU
　　SIR46DP

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sir462dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C7.9 毫歐 @ 20A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1155pF @ 15V
  • 功率 - 最大41.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIR462DP-T1-GE3TR