FQD12P10是一種基于硅工藝制造的高壓MOSFET功率器件,主要用于高電壓場景下的開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的擊穿電�,適用于工業(yè)控制、電源管理以及汽車電子等�(lǐng)��
其封裝形式通常為TO-220或TO-247等標準功率封�,便于散熱處�。FQD12P10在設(shè)計上注重高效能表�(xiàn),并兼顧了耐用性和可靠��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:0.3Ω
柵極電荷�50nC
開關(guān)時間:ton=60ns,toff=80ns
工作溫度范圍�-55� to +150�
FQD12P10具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓(1200V�,能夠在高電壓環(huán)境下�(wěn)定運行�
2. 較低的導(dǎo)通電阻(典型值為0.3Ω�,可減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗�
4. 柵極電荷較小,驅(qū)動更加簡單且能耗更低�
5. 工作溫度范圍�,適合極端環(huán)境下的使用需��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
FQD12P10廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換部分�
2. 電機�(qū)動和逆變器系�(tǒng)中的開關(guān)元件�
3. 不間斷電源(UPS)及太陽能逆變器的核心組件�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換控制�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的高壓控制模塊�
6. 其他需要高電壓、大電流開關(guān)的應(yīng)用場景�
FQR12P10, IRF1200, STW12NM10