FQP3N80C 是一� N 灃道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-Channel MOSFET�,由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用 TO-220 封裝形式,具有高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理和�(fù)載切換等�(chǎng)��
FQP3N80C 的設(shè)�(jì)使其能夠處理高達(dá) 800V 的漏源極電壓,并提供相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻以減少功�。它適用于需要高效率和可靠性的�(yīng)用環(huán)��
最大漏源極電壓�800V
連續(xù)漏極電流�1.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):6.5Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�45nC
總功率耗散�10W(在 Ta=25°C �(shí)�
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-220
FQP3N80C 具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓:可承受高�(dá) 800V 的漏源極電壓,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻:� Vgs=10V �(shí),導(dǎo)通電阻僅� 6.5Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:具備較小的柵極電荷和較短的開關(guān)�(shí)�,能夠支持高頻操��
4. �(wěn)定性:能夠在寬泛的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
5. 高可靠性:�(jīng)過優(yōu)化的�(shè)�(jì)確保其在惡劣條件下的�(zhǎng)期穩(wěn)定��
FQP3N80C 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):
- 可用作主開關(guān)管或同步整流器中的功� MOSFET�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 在電�(jī)控制電路中實(shí)�(xiàn)高效的功率傳輸與切換�
3. 逆變器:
- 提供高電壓切換能�,適用于太陽能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換設(shè)��
4. 電池管理系統(tǒng)�
- �(shí)�(xiàn)電池組的充放電保�(hù)及負(fù)載切換功��
5. 工業(yè)自動(dòng)化:
- 用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率�(jí)管理與信�(hào)隔離�
IRF840
FQA8N80E
STP8NB80Z