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FQP3N80C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 10:25:39 查看 閱讀�19

FQP3N80C 是一� N 灃道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(N-Channel MOSFET�,由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)。該器件采用 TO-220 封裝形式,具有高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理和�(fù)載切換等�(chǎng)��
  FQP3N80C 的設(shè)�(jì)使其能夠處理高達(dá) 800V 的漏源極電壓,并提供相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻以減少功�。它適用于需要高效率和可靠性的�(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源極電壓�800V
  連續(xù)漏極電流�1.9A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):6.5Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�45nC
  總功率耗散�10W(在 Ta=25°C �(shí)�
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-220

特�

FQP3N80C 具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電壓:可承受高�(dá) 800V 的漏源極電壓,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:� Vgs=10V �(shí),導(dǎo)通電阻僅� 6.5Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能:具備較小的柵極電荷和較短的開關(guān)�(shí)�,能夠支持高頻操��
  4. �(wěn)定性:能夠在寬泛的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
  5. 高可靠性:�(jīng)過優(yōu)化的�(shè)�(jì)確保其在惡劣條件下的�(zhǎng)期穩(wěn)定��

�(yīng)�

FQP3N80C 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):
   - 可用作主開關(guān)管或同步整流器中的功� MOSFET�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   - 在電�(jī)控制電路中實(shí)�(xiàn)高效的功率傳輸與切換�
  3. 逆變器:
   - 提供高電壓切換能�,適用于太陽能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換設(shè)��
  4. 電池管理系統(tǒng)�
   - �(shí)�(xiàn)電池組的充放電保�(hù)及負(fù)載切換功��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:
   - 用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率�(jí)管理與信�(hào)隔離�

替代型號(hào)

IRF840
  FQA8N80E
  STP8NB80Z

fqp3n80c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fqp3n80c資料 更多>

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fqp3n80c參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.8 歐姆 @ 1.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs16.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds705pF @ 25V
  • 功率 - 最�107W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件
  • 其它名稱FQP3N80C-NDFQP3N80CFS