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FQP4N90C 發(fā)布時間 時間�2024/3/18 14:07:21 查看 閱讀�555

FQP4N90C是一種高性能的功率MOSFET晶體�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度。它采用了先進的N溝道MOSFET技�(shù),具有較低的開關(guān)損耗和高效的功率轉(zhuǎn)換能�。該器件可應(yīng)用于各種功率電子�(shè)�,如電源管理、電動工�、電動汽車和工業(yè)自動化等�(lǐng)域�
  FQP4N90C是一種N溝道MOSFET晶體�,其工作原理基于場效�(yīng)管的原理。它由一個N型溝道和兩個P型控制區(qū)域組成。當(dāng)控制電壓施加在控制區(qū)域時,溝道區(qū)域中的電荷會�(fā)生變化,從而調(diào)節(jié)了溝道的電阻。這樣,通過控制電壓的變�,可以實�(xiàn)對器件的�(dǎo)通和截止控制�
  在導(dǎo)通狀�(tài)下,�(dāng)控制電壓施加在控制區(qū)域時,電子會從源極進入溝道,然后流向漏�,形成電流通路。此�,溝道的電阻很低,功率損耗較小。而在截止?fàn)顟B(tài)�,控制電壓未施加或施加較低的電壓,溝道中沒有電荷通路,電流無法流過。因�,該器件具有非常低的�(dǎo)通電阻和高的截止電阻�

基本�(jié)�(gòu)

1、硅襯底:作為整個器件的基礎(chǔ),提供支撐和電流傳導(dǎo)功能�
  2、溝道區(qū):位于硅襯底�,是電流流動的通道。它的電�(dǎo)率通過柵電壓控��
  3、柵氧化層:位于溝道區(qū)上方,用于隔離柵電極和溝道區(qū)�
  4、柵電極:位于柵氧化層上�,通過改變柵電壓來控制溝道區(qū)的電�(dǎo)率�
  5、源極和漏極:位于溝道區(qū)的兩�(cè),用于提供電流的輸入和輸出�

工作原理

FQP4N90C是一種增強型N溝道MOSFET。當(dāng)施加正向電壓到基極與源極之間�,電子會從源極注入到溝道中,形成�(dǎo)電通道,使電流可以通過。而當(dāng)施加�(fù)向電壓時,電子不再注入溝道,�(dǎo)電通道�(guān)閉,電流無法通過�

參數(shù)

額定電流�4A
  額定電壓�900V
  低導(dǎo)通電阻:.8Ω
  最大功耗:180W
  封裝:TO-220

特點

1、高電流和高電壓能力:FQP4N90C具有較高的額定電流和電壓,能夠處理大功率�(yīng)用�
  2、低�(dǎo)通電阻:它具有較低的�(dǎo)通電�,能夠減少功率損耗和熱量�(chǎn)生�
  3、快速開�(guān)速度:FQP4N90C具有較快的開�(guān)速度,使其適用于高頻率應(yīng)��
  4、低輸入和輸出電容:它具有較低的輸入和輸出電�,有利于減小開關(guān)過程中的電荷傳輸時間�

�(yīng)�

1、電源系�(tǒng):它可以用于交流-直流電源�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源和逆變器等�
  2、電機驅(qū)動:FQP4N90C可以用于控制電機的驅(qū)動電�,如步進電機和直流電機�
  3、照明系�(tǒng):它可以用于高壓氣體放電燈和LED�(qū)動電路等�(yīng)��

如何使用

1、了解器件參�(shù):在使用FQP4N90C之前,建議先仔細閱讀器件的數(shù)�(jù)手冊。了解其特性參�(shù),如最大耐壓、最大漏電流、導(dǎo)通電阻等。這些參數(shù)將決定器件在具體�(yīng)用中的適用��
  2、正確的電路連接:FQP4N90C有三個引�,分別是源極(S), 柵極(G)和漏�(D)。在使用�,應(yīng)正確連接這些引腳。通常,源極連接到負(fù)�,漏極連接到負(fù)�,而柵極則連接到驅(qū)動電路�
  3、驅(qū)動電路設(shè)計:為了確保FQP4N90C能夠正常工作,需要設(shè)計合適的�(qū)動電�。MOSFET需要一定的柵極�(qū)動電壓和電流來控制導(dǎo)通和截止。通常,可以使用MOSFET�(qū)動器或者直接使用晶體管來實�(xiàn)�(qū)��
  4、溫度控制:FQP4N90C在工作過程中會產(chǎn)生一定的熱量。為了確保器件的可靠性和壽命,建議在�(shè)計中考慮合適的散熱措�??梢允褂蒙崞L(fēng)扇或者其他散熱設(shè)備來保持器件溫度在安全范圍內(nèi)�
  5、過電流和過壓保護:為了避免FQP4N90C受到過電流和過壓等損�,建議在電路中添加適�(dāng)?shù)谋Wo措施??梢允褂帽kU�、過電流保護電路和過壓保護電路等來保護器��
  6、合適的工作條件:FQP4N90C的性能和壽命會受到工作條件的影�。確保器件工作在合適的電�、電壓和溫度范圍�(nèi),以提供最佳的性能和可靠��
  7、測試和驗證:在使用FQP4N90C之前,建議進行測試和驗�。通過測量器件的參�(shù),如�(dǎo)通電�、靜�(tài)漏源極電流等,驗證器件是否符合數(shù)�(jù)手冊中的�(guī)格要��
  在使用FQP4N90C�,建議先了解器件的參�(shù)和特�,并根據(jù)具體�(yīng)用設(shè)計合適的電路連接和驅(qū)動電�。同時,考慮散熱、過電流和過壓保護等措施,以確保器件在安全范圍內(nèi)工作。最�,進行測試和驗�,確保器件的性能符合要求�

安裝要點

安裝FQP4N90C功率晶體管時,需要注意以下要點:
  1、器件的防靜電保護:在處理FQP4N90C之前,確保自己處于接地狀�(tài),以避免靜電放電對器件造成損害。同時,可以使用防靜電手套或工作臺墊來進一步保護器��
  2、PCB�(shè)計:在設(shè)計電路板�,需要根�(jù)器件的封裝類型選擇合適的封裝形式,并確保器件的引腳布局與PCB上的焊盤相匹配。確保焊盤尺寸和間距符合要求,以便正確焊接器件�
  3、焊接方法:使用適當(dāng)?shù)暮附臃椒▽QP4N90C焊接到電路板�。常見的焊接方法有手工焊接和波峰焊接。根�(jù)實際情況選擇合適的焊接方法,并確保焊接質(zhì)量良�,避免焊接過熱或焊接不足�(dǎo)致焊點不可靠�
  4、散熱措施:FQP4N90C在工作過程中會產(chǎn)生一定的熱量,因此需要考慮散熱措施。在安裝過程�,可以使用散熱片或散熱膠墊來提高器件的散熱能�,確保器件溫度處于安全范圍內(nèi)�
  5、過電流和過壓保護:在電路設(shè)計中,考慮添加過電流保護電路和過壓保護電路,以保護FQP4N90C免受過電流和過壓的損�。這些保護電路可以防止器件受到過載或故障電壓的影響�
  6、環(huán)境條件:在安裝FQP4N90C�,確保環(huán)境條件符合器件的工作要求。避免器件安裝在過熱、高濕度或有腐蝕性氣體的�(huán)境中�
  7、測試和驗證:在安裝完成�,進行測試和驗證以確保FQP4N90C的正常工�??梢允褂煤线m的測試儀器測量器件的參數(shù)和性能,如�(dǎo)通電阻、漏源極電流��
  在安裝FQP4N90C功率晶體管時,要注意防靜電保�、合適的焊接方法、散熱措施和過流、過壓保護等。確保電路板�(shè)計合�,并在安裝過程中遵循正確的操作步驟。最�,進行測試和驗證以確保器件正常工作�

fqp4n90c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqp4n90c資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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fqp4n90c參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)900V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 歐姆 @ 2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds960pF @ 25V
  • 功率 - 最�140W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220
  • 包裝管件