FQPF10N65C是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-247封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的特點(diǎn),適用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。其耐壓值為650V,適合高壓環(huán)境下的電路設(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:650V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2Ω
總功耗:190W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 高擊穿電壓使其能夠在高壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
2. 低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度使得該器件在高頻�(yīng)用場景中表現(xiàn)出色�
4. 具有良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�
5. TO-247封裝形式提供了優(yōu)秀的散熱能力,便于安裝和維�(hù)�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 逆變�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
6. 不間斷電源(UPS�
FQPF10N65C憑借其高性能特點(diǎn),特別適合需要高效率和高可靠性的高壓�(yīng)用場��
IRFP460N
FQA10N65C
STP10NK65Z