FQPF2N60C是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適合在高頻�(yīng)用中使用。其耐壓值高�(dá)600V,能夠滿足多種高壓電路的需求�
最大漏源電壓:600V
最大漏極電流:2.8A
�(dǎo)通電阻:3.5Ω
柵極電荷�18nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
封裝形式:TO-220
FQPF2N60C具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,能夠承�600V的最大漏源電壓,適用于高壓環(huán)��
2. 較低的導(dǎo)通電阻(3.5Ω�,可以有效降低功耗并提升效率�
3. 快速的�(kāi)�(guān)速度,得益于其較小的柵極電荷�18nC�,使得器件適合高頻應(yīng)��
4. �(wěn)定性高,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�
5. 封裝為TO-220,便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
這些特性使FQPF2N60C成為工業(yè)控制、消�(fèi)電子和汽車電子等�(lǐng)域中的理想選��
FQPF2N60C適用于多種應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 逆變�
5. 電磁閥驅(qū)�(dòng)
6. 充電�
7. LED�(qū)�(dòng)�
其高壓特性和高效性能使其特別適合需要高可靠性和高效率的�(yīng)用場(chǎng)��
IRF640N