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FQS4410TF 發(fā)布時間 時間�2023/11/30 17:43:28 查看 閱讀�594

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:QFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�13.5 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�10A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�28nC @ 5V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �1280pF @ 25V
功率 - 最大:2.5W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)
包裝:帶� (TR)

fqs4410tf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fqs4410tf參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列QFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫歐 @ 10A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs28nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1280pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOP
  • 包裝帶卷 (TR)