FSCM0765RGWDTU是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生產的功率MOSFET芯片,基于先進的溝槽式技術制�。該器件主要應用于需要高效率、低導通電阻的場景,例如開關電�、DC-DC轉換�、電機驅動和負載開關�。其封裝形式為PQFN3x3,具備出色的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓:65V
連續(xù)漏極電流�2.1A
導通電阻(Rds(on)):4mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
柵極電荷�11nC(典型值)
反向恢復時間�18ns(典型值)
工作結溫范圍�-55℃至+150�
該器件采用了先進的溝槽式MOSFET結構,從而實�(xiàn)了超低的導通電阻,有助于降低導通損耗并提高系統(tǒng)效率�
由于其小型化的PQFN3x3封裝,這款器件非常適合空間受限的應用場��
FSCM0765RGWDTU還具有快速開關速度和較低的柵極電荷,可減少開關損耗�
此外,其出色的熱性能確保了在高功率密度應用中的可靠性�
FSCM0765RGWDTU廣泛應用于消費類電子、工�(yè)控制和通信設備中,常見的應用包括:
筆記本電腦適配器和充電器中的同步整流電路�
DC-DC轉換器中的開關元��
電機驅動中的功率級開��
各種負載開關和保護電路�
汽車電子中的輔助功率管理模塊�
FDP0765AGT, IRF7844TRPBF