FSD200B是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠滿足多種功率應(yīng)用的需求�
該MOSFET的額定電壓為200V,適合高壓環(huán)境下的工作,同時(shí)具備良好的穩(wěn)定性和可靠�。其小型封裝�(shè)�(jì)使其在空間受限的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:200V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�1.3A
�(dǎo)通電阻(典型值)�5.6Ω
柵極電荷�17nC
輸入電容�480pF
總耗散功率(Tc=25℃)�2.5W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 高耐壓能力:額定電壓高�(dá)200V,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
2. 低導(dǎo)通電阻:在特定條件下,導(dǎo)通電阻僅�5.6Ω,有效降低功率損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:小的柵極電荷和輸入電容確保了快速的�(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損耗�
4. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試和篩選,能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化設(shè)�(jì):緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化的要求�
1. �(kāi)�(guān)電源:用于主�(kāi)�(guān)管或同步整流�,提升效率和�(wěn)定性�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為功率開(kāi)�(guān),實(shí)�(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制電�(jī)的啟停和�(zhuǎn)�,提供精確的功率輸出�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān):保�(hù)電路免受�(guò)�、短路等異常情況的影響�
5. 電池管理系統(tǒng):用于電池充放電控制,確保系�(tǒng)的安全性和可靠性�
FDP019N20,
FQP13N20,
IRF640