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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IRFR9120TRLPBF

IRFR9120TRLPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/3/7 14:34:50 查看 閱讀�335

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列�-

    FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�600 毫歐 @ 3.4A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�5.6A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�18nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �390pF @ 25V

    功率 - 最大:2.5W

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

    包裝:帶� (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

irfr9120trlpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

irfr9120trlpbf資料 更多>

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irfr9120trlpbf參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IRFR9120, IRFU9120
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫歐 @ 3.4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds390pF @ 25V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFR9120TRLPBF-NDIRFR9120TRLPBFTR