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IRFR9120TRLPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/7 14:34:50 查看 閱讀：335

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    

目錄

概述

    類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

    家庭：MOSFET，GaNFET - 單

    系列：-

    FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

    FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型

    開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫歐 @ 3.4A, 10V

    漏極至源極電壓(Vdss)：100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：5.6A

    Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA

    閘電荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 10V

    在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：390pF @ 25V

    功率 - 最大：2.5W

    安裝類型：表面貼裝

    封裝/外殼：DPak, SC-63,TO-252(2 引線+接片)

    包裝：帶卷 (TR)

    供應(yīng)商設(shè)備封裝：*


資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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irfr9120trlpbf參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表IRFR9120, IRFU9120
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.6A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C600 毫歐 @ 3.4A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds390pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRFR9120TRLPBF-NDIRFR9120TRLPBFTR