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FV31N101J202EEG 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 7:22:36 查看 閱讀�16

FV31N101J202EEG是一款由Fairchild(現(xiàn)為On Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道MOSFET功率晶體�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動應(yīng)��
  該MOSFET采用TO-252-3小型表面貼裝封裝形式,具備良好的散熱性能和緊湊的�(shè)計特�(diǎn)。這種封裝方式使其非常適合空間受限的電路設(shè)��

參數(shù)

最大漏源電�(VDS)�60V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  連續(xù)漏極電流(ID)�9.2A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�35mΩ
  功�(PD)�28W
  �(jié)溫范�(TJ)�-55°C � 150°C
  總電�(Qg)�4nC
  輸入電容(Ciss)�730pF
  輸出電容(Coss)�85pF

特�

該MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
  FV31N101J202EEG支持高頻操作,這主要得益于其快速的開關(guān)速度和較小的柵極電荷�
  其具備較高的雪崩擊穿能力,能夠增�(qiáng)在異常條件下的耐用��
  采用的TO-252-3封裝形式提供�(yōu)越的熱性能,同時保持了小尺寸和輕量化設(shè)��
  MOSFET還具有出色的靜電放電(ESD)保護(hù)功能以確??煽�?�

�(yīng)�

FV31N101J202EEG廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備和汽車電子�(lǐng)��
  具體�(yīng)用場景包括DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源(SMPS)、電�(jī)控制和驅(qū)�、負(fù)載開�(guān)、電池保�(hù)電路等�
  由于其低�(dǎo)通電阻和高頻率特�,它也非常適合用于高效能要求的筆記本電腦適配�、LED照明系統(tǒng)以及家用電器中的功率管理部分�

替代型號

FQP17P06,
  IRFZ44N,
  STP9NK60Z,
  AO3400

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