FV55N101J302EFG是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件主要�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、開�(guān)模式電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器和負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。其出色的導(dǎo)通電阻特性和快速的開關(guān)速度使其成為高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�
這款MOSFET采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,確保了低導(dǎo)通損耗和高能效。它支持表面貼裝封裝(SOT-227B�,適用于自動(dòng)化生�(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)需�。此外,該器件符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),適合環(huán)保要求嚴(yán)格的�(xiàn)代電子產(chǎn)��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�5.5A
�(dǎo)通電阻(典型值)�45mΩ
柵極-源極電壓:�20V
功耗:16W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝類型:SOT-227B
FV55N101J302EFG具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用環(huán)�,減少開�(guān)損��
3. 高擊穿電壓(100V�,確保在較高電壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持可靠的性能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),無鉛設(shè)�(jì),滿足環(huán)保要��
6. 表面貼裝封裝,便于實(shí)�(xiàn)小型化和高密度電路板布局�
這些特點(diǎn)使得該MOSFET特別適合于需要高效率、小尺寸和良好散熱性能的應(yīng)用場��
FV55N101J302EFG廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的初級或次級開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓和反激�?fù)�?br> 3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流或步�(jìn)電機(jī)�
4. �(fù)載開�(guān),在便攜式設(shè)備中�(shí)�(xiàn)高效的電源管��
5. 過流保護(hù)和電子保�(xiǎn)��
6. 各類工業(yè)控制和消�(fèi)電子�(chǎn)品的功率�(zhuǎn)換模��
其高性能和可靠性使其成為眾多功率管理應(yīng)用中的優(yōu)選方��
FQD18N10L, IRFZ44N, AO3400A