FYPF2006DN是一種高性能的功率MOSFET芯片,采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù)�(shè)�(jì)。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。其封裝形式通常為TO-252(DPAK),具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持較低的功��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻:120mΩ
柵極閾值電壓:2V~4V
工作�(jié)溫范圍:-55℃~175�
總功耗:1.3W
FYPF2006DN具有出色的電氣性能,其低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功率損�,提高系�(tǒng)的整體效�。此外,該器件還擁有快速開�(guān)速度和較低的輸入電容,有助于減少開關(guān)�(guò)程中的能量損�。同�(shí),它支持較寬的工作溫度范�,確保在各種�(huán)境條件下都能�(wěn)定運(yùn)��
這款功率MOSFET采用了先�(jìn)的制造工藝,具備較高的可靠性和耐用�,適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)用�
FYPF2006DN常用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
4. �(fù)載開�(guān)
5. 電池管理電路
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
由于其良好的電氣特性和緊湊的封裝形�,F(xiàn)YPF2006DN成為許多�(shè)�(jì)工程師的理想選擇�
FQP12N60C
IRFZ44N
AO3400