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GA0402A121GXAAC31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 3:14:43 查看 閱讀�10

GA0402A121GXAAC31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)�。該器件屬于溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,其�(shè)計優(yōu)化了�(dǎo)通電阻和開關(guān)速度,能夠顯著提升效率并降低能��
  這款 MOSFET 的封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)封裝,適合表面貼裝工�,具有良好的熱性能和電氣特�,適用于高密度和緊湊型設(shè)計需��

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):40V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  持續(xù)漏極電流(Id):25A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
  柵極電荷(Qg):46nC
  總電容(Ciss):1880pF
  功耗(Pd):175W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA0402A121GXAAC31G 具備低導(dǎo)通電阻,從而減少傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率。同時,其快速開�(guān)能力使其非常適合高頻�(yīng)用環(huán)��
  此外,該 MOSFET 具有出色的熱�(wěn)定性和抗浪涌電流能�,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持可靠運行�
  它還具備較低的柵極電荷和輸入電容,這有助于簡化�(qū)動電路設(shè)計,并�(jìn)一步降低開�(guān)損��
  此器件采用無鉛封�,符� RoHS �(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保制造流程�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各類工業(yè)和消費電子領(lǐng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)控制、電池管理系�(tǒng)(BMS�、負(fù)載開�(guān)以及 LED �(qū)動等場景�
  在電動汽車和混合動力汽車�,它也可用于牽引逆變器和輔助電源模塊�
  此外,由于其高功率處理能力和緊湊尺寸,該器件是服�(wù)器電�、通信電源和其他高能效�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

GA0402A121GXAAC32G
  IRFZ44N
  FDP5800

ga0402a121gxaac31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-