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GA0402Y391MXAAP31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/5 10:45:31 查看 閱讀:13

GA0402Y391MXAAP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率開關(guān)器件,主要用于高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用增強型 GaN FET 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適合用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、適配器以及其他功率電子設(shè)備中。
  這款芯片在設(shè)計上結(jié)合了先進的封裝技術(shù)和材料科學(xué),以確保其能夠在高溫、高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行,同時保持較低的能量損耗。

參數(shù)

類型:增強型 GaN HEMT
  最大漏源電壓(Vds):650V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):40A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):39mΩ
  柵極驅(qū)動電壓(Vgs):4.5V~6V
  輸入電容(Ciss):1800pF
  輸出電容(Coss):75pF
  反向傳輸電容(Crss):25pF
  開關(guān)頻率:高達 5MHz
  工作溫度范圍:-55℃ ~ +150℃

特性

GA0402Y391MXAAP31G 具有以下顯著特性:
  1. 高效能量轉(zhuǎn)換:由于其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)能力,能夠顯著降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。
  2. 小型化設(shè)計:相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,GaN 器件可以實現(xiàn)更高的功率密度,從而減小系統(tǒng)體積。
  3. 高可靠性:經(jīng)過嚴格測試,能夠在極端溫度和負載條件下長期可靠運行。
  4. 易于驅(qū)動:兼容標準邏輯電平驅(qū)動,簡化了電路設(shè)計過程。
  5. 熱性能優(yōu)異:具備良好的散熱特性和耐熱沖擊能力,有助于提高系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):如筆記本電腦適配器、手機快充等。
  2. 工業(yè)電源:例如通信基站電源、數(shù)據(jù)中心電源模塊。
  3. 汽車電子:包括車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動器。
  4. 可再生能源:太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換部分。
  5. 消費類電子產(chǎn)品:便攜式設(shè)備充電器及音頻放大器等需要高效能表現(xiàn)的應(yīng)用場景。

替代型號

KSG065R039E, EPC2020

ga0402y391mxaap31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容390 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-