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GA0402Y681KXXAP31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 10:48:41 查看 閱讀�11

GA0402Y681KXXAP31G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,適用于高效�、高頻開�(guān)�(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,非常適合用于電源適配器、快充設(shè)備以及DC-DC�(zhuǎn)換器等場��
  其設(shè)�(jì)�(jié)合了氮化鎵材料的�(yōu)異性能,大幅提升了功率密度和能�,同�(shí)縮小了整體系�(tǒng)尺寸�

參數(shù)

型號:GA0402Y681KXXAP31G
  類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體� (eGaN FET)
  額定電壓�650V
  額定電流�4A
  �(dǎo)通電阻:160mΩ(典型值,@Vgs=6V�
  柵極電荷�30nC(最大值)
  開關(guān)頻率:最高支� MHz�
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:P31G

特�

GA0402Y681KXXAP31G 的主要特�(diǎn)是利用氮化鎵半導(dǎo)體材料的卓越性能。相較于傳統(tǒng)的硅基MOSFET,它擁有更低的導(dǎo)通電阻和更少的寄生電�,從而能�?qū)崿F(xiàn)更快的開�(guān)速度和更高的效率。此�,該器件還具有以下優(yōu)�(diǎn)�
  - 極低的輸出電容和反向恢復(fù)電荷,減少了開關(guān)損耗�
  - �(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)動保�(hù)電路,提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定性�
  - 小巧的封裝尺�,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
  - 出色的熱性能,確保在高負(fù)載條件下依然保持良好的散熱能��

�(yīng)�

該型號廣泛應(yīng)用于對效率和尺寸要求較高的電力電子領(lǐng)域,具體包括�
  - USB PD 快速充電器
  - 小型� AC-DC 適配�
  - 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
  - LED �(qū)動電�
  - 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效電源模塊
  - 太陽能微型逆變�
  這些�(yīng)用場景得益于其高效的開關(guān)特性和緊湊的設(shè)�(jì)�(yōu)��

替代型號

GAN041-650WSA
  Transphorm TP65H030WS
  Infineon IMS60R050M1H

ga0402y681kxxap31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"�0.60mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-