GA0603A101GXAAC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體管,適用于高頻、高效率電力轉(zhuǎn)換應用。該器件采用了先進的 GaN 工藝設計,具有更低的導通電阻和更高的開關頻率,可顯著提高電源系統(tǒng)的性能和功率密度。
此型號為表面貼裝器件(SMD),能夠滿足緊湊型設計需求,并在各類工業(yè)和消費電子領域中得到廣泛應用。
類型:增強型場效應晶體管 (eGaN FET)
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流:3A
導通電阻:100mΩ(典型值,@ Vgs=8V)
柵極電荷:9nC(典型值)
反向恢復電荷:無(由于 GaN 的特性)
工作溫度范圍:-40℃ 至 +125℃
封裝形式:LLP8 封裝
1. 高效功率轉(zhuǎn)換:得益于低導通電阻和低柵極電荷,使得開關損耗大幅降低。
2. 高開關頻率:支持高達數(shù) MHz 的開關頻率,非常適合高頻應用。
3. 快速開關速度:消除了傳統(tǒng)硅 MOSFET 的反向恢復損耗問題。
4. 熱性能優(yōu)異:采用 LLP8 封裝,具備良好的散熱能力,同時適合表面貼裝工藝。
5. 緊湊設計:較小的封裝尺寸有助于實現(xiàn)更高功率密度的設計方案。
6. 安全可靠:內(nèi)置 ESD 保護功能以增強芯片穩(wěn)定性。
1. 開關電源(SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 無線充電設備
4. 激光雷達(LiDAR)驅(qū)動電路
5. 電機驅(qū)動控制
6. 充電器與適配器
7. 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器
GAN063-650WSA
GAN063-650ESA
Transphorm TP65H030WS
EPC2038