時間：2025/6/4 19:57:28
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GA0603A101GXAAC31G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術的高效功率晶體管，適用于高頻、高效率電力轉(zhuǎn)換應用。該器件采用了先進的 GaN 工藝設計，具有更低的導通電阻和更高的開關頻率，可顯著提高電源系統(tǒng)的性能和功率密度。
此型號為表面貼裝器件（SMD），能夠滿足緊湊型設計需求，并在各類工業(yè)和消費電子領域中得到廣泛應用。
類型：增強型場效應晶體管 (eGaN FET)
最大漏源電壓：600V
最大連續(xù)漏極電流：3A
導通電阻：100mΩ（典型值，@ Vgs=8V）
柵極電荷：9nC（典型值）
反向恢復電荷：無（由于 GaN 的特性）
工作溫度范圍：-40℃ 至 +125℃
封裝形式：LLP8 封裝
1. 高效功率轉(zhuǎn)換：得益于低導通電阻和低柵極電荷，使得開關損耗大幅降低。
2. 高開關頻率：支持高達數(shù) MHz 的開關頻率，非常適合高頻應用。
3. 快速開關速度：消除了傳統(tǒng)硅 MOSFET 的反向恢復損耗問題。
4. 熱性能優(yōu)異：采用 LLP8 封裝，具備良好的散熱能力，同時適合表面貼裝工藝。
5. 緊湊設計：較小的封裝尺寸有助于實現(xiàn)更高功率密度的設計方案。
6. 安全可靠：內(nèi)置 ESD 保護功能以增強芯片穩(wěn)定性。
1. 開關電源（SMPS）
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 無線充電設備
4. 激光雷達（LiDAR）驅(qū)動電路
5. 電機驅(qū)動控制
6. 充電器與適配器
7. 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器
GAN063-650WSA
GAN063-650ESA
Transphorm TP65H030WS
EPC2038
