PSB50505EV1.3 時(shí)間：2025/5/22 12:04:46 閱讀：14

PSB50505EV1.3 是一款基于 GaN（氮化鎵）技術(shù)的高效率、高頻開關(guān)功率晶體管。該器件采用了增強(qiáng)型 E-Mode GaN 技術(shù)，能夠在高頻條件下提供極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)性能。它適用于高密度電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線充電模塊、服務(wù)器電源等。
　　PSB50505EV1.3 的封裝形式為 LFPAK8 封裝，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的熱性能和電氣性能。其設(shè)計(jì)目標(biāo)是滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高效能、小型化的需求。

參數(shù)

額定電壓：650V
　　額定電流：5A
　　導(dǎo)通電阻：120mΩ
　　柵極電荷：3nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：無反向恢復(fù)
　　最大工作溫度范圍：-55℃ 至 150℃
　　封裝類型：LFPAK8

特性

PSB50505EV1.3 具備以下關(guān)鍵特性：
　　1. 高效開關(guān)能力：由于 GaN 材料的優(yōu)異特性，該器件可以以 MHz 級(jí)別頻率運(yùn)行，從而減少磁性元件的尺寸并提升整體效率。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻：在 25℃ 下，導(dǎo)通電阻僅為 120mΩ，降低了導(dǎo)通損耗。
　　3. 快速開關(guān)速度：得益于極低的柵極電荷（3nC），該器件具有超快的開關(guān)速度，可顯著降低開關(guān)損耗。
　　4. 無反向恢復(fù)損耗：與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 不同，GaN 器件沒有體二極管反向恢復(fù)問題，進(jìn)一步提升了效率。
　　5. 熱性能優(yōu)秀：采用 LFPAK8 封裝，確保良好的散熱性能，適合高功率密度應(yīng)用。

應(yīng)用

PSB50505EV1.3 廣泛應(yīng)用于需要高效率和高頻工作的場景，包括但不限于：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　3. 無線充電發(fā)射端
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
　　5. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源模塊
　　6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器