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GA0603A3R3DBBAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 23:39:56 查看 閱讀�10

GA0603A3R3DBBAR31G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),主要用于高頻和高功率應�。該器件采用先進的封裝技�(shù),具有卓越的開關(guān)性能和熱管理能力,適合要求高效能和小型化的應用場��
  這款 GaN 器件在設計時考慮到了高頻率下的低損耗需�,因此廣泛應用于射頻放大�、電源轉(zhuǎn)換器和其他高性能電子系統(tǒng)��

參數(shù)

型號:GA0603A3R3DBBAR31G
  類型:GaN HEMT
  額定電壓�600V
  額定電流�3A
  導通電阻:35mΩ
  柵極電荷�20nC
  最大工作溫度:175°C
  封裝形式:DBBAR31G

特�

GA0603A3R3DBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓:支持高達 600V 的工作電�,使其適用于高壓�(huán)境中的應用�
  2. 超低導通電阻:僅為 35mΩ,顯著降低了傳導損耗�
  3. 快速開�(guān)速度:得益于其低柵極電荷�20nC�,能�?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān)操作,從而提高效率并減少電磁干擾�
  4. �(yōu)異的熱性能:采用先進的封裝技�(shù),確保器件能夠在高溫條件下穩(wěn)定運行�
  5. 小型化設計:相比傳統(tǒng)硅基器件,GaN 技�(shù)允許更小尺寸的封裝,同時保持相同的性能水平�

應用

該芯片適用于多種領域�
  1. 通信設備:如基站射頻放大器和高速數(shù)�(jù)傳輸模塊�
  2. 電源管理:包� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以� AC-DC 適配器�
  3. 工業(yè)自動化:用于�(qū)動電機或其他高功率負載�
  4. 汽車電子:電動汽車充電系�(tǒng)和車載電子裝��
  5. 消費類電子產(chǎn)品:快充設備和高效能家用電器�

替代型號

GAN0603A3R3DS8,
  GAN0603A3R3DSC,
  GA0603A3R3DBBAR24G

ga0603a3r3dbbar31g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ga0603a3r3dbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容3.3 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-