GA0603A3R3DBBAR31G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),主要用于高頻和高功率應�。該器件采用先進的封裝技�(shù),具有卓越的開關(guān)性能和熱管理能力,適合要求高效能和小型化的應用場��
這款 GaN 器件在設計時考慮到了高頻率下的低損耗需�,因此廣泛應用于射頻放大�、電源轉(zhuǎn)換器和其他高性能電子系統(tǒng)��
型號:GA0603A3R3DBBAR31G
類型:GaN HEMT
額定電壓�600V
額定電流�3A
導通電阻:35mΩ
柵極電荷�20nC
最大工作溫度:175°C
封裝形式:DBBAR31G
GA0603A3R3DBBAR31G 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:支持高達 600V 的工作電�,使其適用于高壓�(huán)境中的應用�
2. 超低導通電阻:僅為 35mΩ,顯著降低了傳導損耗�
3. 快速開�(guān)速度:得益于其低柵極電荷�20nC�,能�?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān)操作,從而提高效率并減少電磁干擾�
4. �(yōu)異的熱性能:采用先進的封裝技�(shù),確保器件能夠在高溫條件下穩(wěn)定運行�
5. 小型化設計:相比傳統(tǒng)硅基器件,GaN 技�(shù)允許更小尺寸的封裝,同時保持相同的性能水平�
該芯片適用于多種領域�
1. 通信設備:如基站射頻放大器和高速數(shù)�(jù)傳輸模塊�
2. 電源管理:包� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以� AC-DC 適配器�
3. 工業(yè)自動化:用于�(qū)動電機或其他高功率負載�
4. 汽車電子:電動汽車充電系�(tǒng)和車載電子裝��
5. 消費類電子產(chǎn)品:快充設備和高效能家用電器�
GAN0603A3R3DS8,
GAN0603A3R3DSC,
GA0603A3R3DBBAR24G