GA0603H332JXBAP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高效率開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的能效表�(xiàn)�
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,通過�(yōu)化的溝道�(shè)�(jì)和封裝技�(shù),使其能夠在高頻工作條件下保持較低的損�。其出色的熱性能和可靠性使得它在嚴(yán)苛的工作�(huán)境中也能�(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):GA0603H332JXBAP31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓�600V
額定電流�32A
�(dǎo)通電阻(典型值)�35mΩ
柵極電荷(典型值)�75nC
最大功耗:225W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-247-3
GA0603H332JXBAP31G 的主要特性包括:
1. 高額定電壓(600V�,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(35mΩ 典型值),減少傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)能力,得益于較低的柵極電荷(75nC 典型值),適合高頻應(yīng)��
4. �(yōu)秀的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間可靠運(yùn)行�
5. 寬廣的工作溫度范圍(-55� � +150℃),適�(yīng)各種極端條件�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
7. TO-247-3 封裝,便于安裝與散熱�(shè)�(jì)�
GA0603H332JXBAP31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 太陽(yáng)能逆變器的核心功率�(zhuǎn)換元��
4. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力車的電池管理系�(tǒng)及電�(jī)控制器�
5. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�,例如不間斷電源(UPS�、焊接設(shè)備等�
IRFP460, FQP18N60C, STP32NF60