GA0603Y123MBJAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工�,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等�(lǐng)域。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在高頻工作條件下提供高效的電力�(zhuǎn)��
該型號為 N 溝道增強� MOSFET,適合用于要求高電流和高效率的應(yīng)用場��
類型:N溝道增強� MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ(典型值,Vgs=10V�
擊穿電壓(BVDSS):60 V
漏極電流(Id):123 A(連續(xù)�
柵極電荷(Qg):75 nC
輸入電容(Ciss):3800 pF
功耗:250 W
封裝形式:TO-247
GA0603Y123MBJAR31G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度�(shè)計,適合高頻�(yīng)用場��
3. 出色的熱性能和可靠�,支持長時間�(wěn)定運��
4. �(nèi)� ESD 保護電路,增強了器件的抗靜電能力�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際�(guī)范要��
6. 具備良好的動�(tài)性能,在快速開�(guān)條件下表�(xiàn)出優(yōu)秀的穩(wěn)定性�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. 電機�(qū)動器中作為功率級�(qū)動元件�
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的�(guān)鍵組��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換和控制�
5. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的電池管理系統(tǒng)(BMS��
6. 各類高效 DC-DC �(zhuǎn)換器� AC-DC �(zhuǎn)換器�
GA0603Y123MBJAR21G
IRFP2907
FDP18N60