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GA0603Y123MBJAR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 13:21:50 查看 閱讀:19

GA0603Y123MBJAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝,主要應(yīng)用于高效率開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器等領(lǐng)域。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在高頻工作條件下提供高效的電力轉(zhuǎn)換。
  該型號為 N 溝道增強型 MOSFET,適合用于要求高電流和高效率的應(yīng)用場景。

參數(shù)

類型:N溝道增強型 MOSFET
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ(典型值,Vgs=10V)
  擊穿電壓(BVDSS):60 V
  漏極電流(Id):123 A(連續(xù))
  柵極電荷(Qg):75 nC
  輸入電容(Ciss):3800 pF
  功耗:250 W
  封裝形式:TO-247

特性

GA0603Y123MBJAR31G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高開關(guān)速度設(shè)計,適合高頻應(yīng)用場合。
  3. 出色的熱性能和可靠性,支持長時間穩(wěn)定運行。
  4. 內(nèi)置 ESD 保護電路,增強了器件的抗靜電能力。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際規(guī)范要求。
  6. 具備良好的動態(tài)性能,在快速開關(guān)條件下表現(xiàn)出優(yōu)秀的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. 電機驅(qū)動器中作為功率級驅(qū)動元件。
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換和控制。
  5. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的電池管理系統(tǒng)(BMS)。
  6. 各類高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器及 AC-DC 轉(zhuǎn)換器。

替代型號

GA0603Y123MBJAR21G
  IRFP2907
  FDP18N60

ga0603y123mbjar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-