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GA0603Y123MBJAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 13:21:50 查看 閱讀�19

GA0603Y123MBJAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工�,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等�(lǐng)域。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在高頻工作條件下提供高效的電力�(zhuǎn)��
  該型號為 N 溝道增強� MOSFET,適合用于要求高電流和高效率的應(yīng)用場��

參數(shù)

類型:N溝道增強� MOSFET
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ(典型值,Vgs=10V�
  擊穿電壓(BVDSS):60 V
  漏極電流(Id):123 A(連續(xù)�
  柵極電荷(Qg):75 nC
  輸入電容(Ciss):3800 pF
  功耗:250 W
  封裝形式:TO-247

特�

GA0603Y123MBJAR31G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)速度�(shè)計,適合高頻�(yīng)用場��
  3. 出色的熱性能和可靠�,支持長時間�(wěn)定運��
  4. �(nèi)� ESD 保護電路,增強了器件的抗靜電能力�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際�(guī)范要��
  6. 具備良好的動�(tài)性能,在快速開�(guān)條件下表�(xiàn)出優(yōu)秀的穩(wěn)定性�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. 電機�(qū)動器中作為功率級�(qū)動元件�
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的�(guān)鍵組��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換和控制�
  5. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的電池管理系統(tǒng)(BMS��
  6. 各類高效 DC-DC �(zhuǎn)換器� AC-DC �(zhuǎn)換器�

替代型號

GA0603Y123MBJAR21G
  IRFP2907
  FDP18N60

ga0603y123mbjar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-