GA1206A681FXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì),主要用于高效率開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,通過(guò)柵極電壓控制源極和漏極之間的電流流通。其優(yōu)化的設(shè)計(jì)使其在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,并且具備良好的抗電磁干擾能力。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:68A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:75nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=12ns, toff=18ns
工作溫度范圍:-55℃至175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度,適合高頻操作環(huán)境。
3. 高電流承載能力,支持大功率應(yīng)用。
4. 出色的熱穩(wěn)定性,確保在高溫條件下依然保持高效運(yùn)行。
5. 小型化封裝設(shè)計(jì),便于電路板布局及節(jié)省空間。
6. 提供優(yōu)異的電氣保護(hù)功能,如過(guò)流保護(hù)和短路耐受能力。
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制
6. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載切換
IRF6744PbF, STP60NF06L, FDP6700N