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GA1206A681FXCBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 11:17:37 查看 閱讀：18

GA1206A681FXCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)，主要用于高效率開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能，能夠顯著提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
　　這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過(guò)柵極電壓控制源極和漏極之間的電流流通。其優(yōu)化的設(shè)計(jì)使其在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，并且具備良好的抗電磁干擾能力。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：68A
　　導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：ton=12ns, toff=18ns
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度，適合高頻操作環(huán)境。
　　3. 高電流承載能力，支持大功率應(yīng)用。
　　4. 出色的熱穩(wěn)定性，確保在高溫條件下依然保持高效運(yùn)行。
　　5. 小型化封裝設(shè)計(jì)，便于電路板布局及節(jié)省空間。
　　6. 提供優(yōu)異的電氣保護(hù)功能，如過(guò)流保護(hù)和短路耐受能力。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
　　4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制
　　6. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載切換

替代型號(hào)

IRF6744PbF, STP60NF06L, FDP6700N

ga1206a681fxcbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G，NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼1206（3216 公制）
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬（3.20mm x 1.60mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.067"（1.70mm）
  • 引線間距-
  • 引線樣式-