GA0603Y332JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)��
其封裝形式緊湊,能夠有效降低寄生電感�(duì)系統(tǒng)性能的影�,同�(shí)提供�(yōu)異的熱性能表現(xiàn),適用于要求�(yán)格的工作�(huán)��
型號(hào):GA0603Y332JBXAT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�33A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2mΩ
總柵極電�(Qg)�45nC
開關(guān)頻率:最高支�500kHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
GA0603Y332JBXAT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅�2mΩ,可顯著減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�,能夠降低開�(guān)損��
3. 高額定電流能�,連續(xù)漏極電流高達(dá)33A,確保在大負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
4. 寬工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適�(yīng)各種�(yán)苛的工作�(huán)��
5. 良好的熱性能,通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)提高了散熱效��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流管�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率級(jí)�
5. 電動(dòng)汽車充電�(shè)備中的高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�
6. 各種需要高效功率管理的電子�(shè)��
GA0603Y332KDXAT31G, IRF3710, FDP059N06L