GA0603Y822JBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效�、高頻開�(guān)電源�(lǐng)域。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和良好的熱性能等特��
它能夠適�(yīng)多種�(fù)雜的工作�(huán)�,并且支持高電壓和大電流的操作需求,非常適合在工�(yè)控制、消費電子以及汽車電子等�(lǐng)域中使用�
型號:GA0603Y822JBAAR31G
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�2.2mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):95A
Qg(柵極電荷)�75nC
VGS(th)(閾值電壓)�2.5V
fT(截止頻率)�1.4MHz
封裝形式:TO-247
GA0603Y822JBAAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),可有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)用場��
3. 高電流承載能�,支持高� 95A 的連續(xù)漏極電流�
4. 良好的熱性能�(shè)�,確保芯片在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運行�
5. 強大的抗靜電能力(ESD Protection�,提高了�(chǎn)品的可靠��
6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT),便于大規(guī)模自動化生產(chǎn)�
7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
GA0603Y822JBAAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主功率開關(guān)��
2. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
3. 工業(yè)逆變器和變頻器的核心組件�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)�
5. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
6. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流��
7. 各種需要高效率、大電流處理能力的電力電子設(shè)��
IRFZ44N
STP90NF06L
FDP55N06