GA0805A121GBEBR31G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的溝道功� MOSFET 芯片,專為高效率開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,非常適合在 DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、電源管理模塊等場景中使��
其封裝形式為 LFPAK8L,能夠提供出色的散熱性能和電氣穩(wěn)定�,適用于對功耗和空間有嚴(yán)格要求的�(shè)計�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�169A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�75nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:LFPAK8L
GA0805A121GBEBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可以有效降低導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,減少開�(guān)損耗并支持高頻操作�
3. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)用場景�
4. �(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),確保長時間�(wěn)定運��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
6. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的電機控制單��
3. 高效能電源模�,如服務(wù)器或通信�(shè)備中的電源供�(yīng)�
4. 大功� LED �(qū)動電��
5. 各種電池管理系統(tǒng)(BMS��
6. 智能家居與工�(yè)自動化中的負(fù)載開�(guān)�
GA0805A121GBEBR31T, IRF7832TRPBF, FDP067N04LS