GA0805A122FXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設(shè)計,主要�(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等場景。該芯片具備低導(dǎo)通電�、高效率和快速開�(guān)特性,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)的整體性能�
此型號屬于增強型 N 溝道 MOSFET,支持大電流�(yīng)�,并且具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�70A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�80nC
開關(guān)速度�40ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0805A122FXBBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在 4.5V 柵極�(qū)動下僅為 2.5mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損��
2. 快速的開關(guān)速度,可有效降低開關(guān)損耗,特別適合高頻�(yīng)用場��
3. 高電流處理能�,額定電流高� 70A,適用于大功率設(shè)��
4. 改進的熱性能,使其能夠在高溫�(huán)境下長期�(wěn)定運��
5. 具備良好的抗雪崩能力和靜電防護功�,增強了器件的魯棒性�
6. 小型化封裝設(shè)�,便� PCB 布局和散熱管��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率� MOSFET�
3. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
4. 工業(yè)控制和自動化�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(chǎn)品中的關(guān)鍵組��
6. 各種需要高效功率切換的消費類電子產(chǎn)品中�
GA0805A122FXBTR31G, IRF840, FQP14N20