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GA0805A151JBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 13:33:31 查看 閱讀�26

GA0805A151JBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率和低損耗的�(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種需要高效能�(zhuǎn)換的電子�(shè)��
  其封裝形式和電氣性能使其在高頻率工作條件下表�(xiàn)出色,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和抗電磁干擾能力�

參數(shù)

型號:GA0805A151JBEBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  漏源極電�(Vdss)�60V  柵極電荷(Qg)�25nC
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
  功�(PD)�75W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263-3L

特�

GA0805A151JBEBR31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),確保高效的電流傳輸,降低能量損��
  2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. �(yōu)秀的熱性能,能夠在高負(fù)載條件下長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高芯片的可靠��
  5. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT),便于自�(dòng)化生�(chǎn),減少人工干�(yù)�
  6. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種�(huán)境條件下的應(yīng)用需��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,無有害物質(zhì)污染�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換模��
  2. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的控制電��
  4. 汽車電子系統(tǒng),如電池管理系統(tǒng)(BMS)和車載充電器�
  5. 太陽能逆變器以及其他可再生能源相關(guān)�(shè)��
  6. 各種需要高效率功率�(zhuǎn)換的消費(fèi)類電子產(chǎn)品�

替代型號

GA0805A151JBEBR31H, IRF540N, FDP5800

ga0805a151jbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-