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GA0805A181KXBBC31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 11:49:54 查看 閱讀�23

GA0805A181KXBBC31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效率功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),適用于高頻開關(guān)�(yīng)用,如電源適配器、無線充電設(shè)備和 LED �(qū)動器等。其卓越的性能來源于氮化鎵材料的低電阻特性和快速開�(guān)能力,從而實(shí)�(xiàn)更高的功率密度和更小的體積設(shè)�(jì)�
  GaN 器件相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損�,這使� GA0805A181KXBBC31G 在高頻工作條件下表現(xiàn)尤為出色�

參數(shù)

型號:GA0805A181KXBBC31G
  類型:增�(qiáng)型功率晶體管
  材料:GaN(氮化鎵�
  最大漏源電壓:650 V
  最大連續(xù)漏極電流�8 A
  柵極閾值電壓:1.5 V - 3 V
  RDS(on)(典型值)�18 mΩ
  總功耗:200 W
  封裝形式:DFN8 (2x2mm)
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C

特�

1. 高效開關(guān)能力:得益于 GaN 材料的獨(dú)特優(yōu)�,此器件在高頻條件下表現(xiàn)出極低的開關(guān)損耗�
  2. 小尺寸設(shè)�(jì):采� DFN8 封裝,節(jié)� PCB 空間并支持緊湊型�(chǎn)品設(shè)�(jì)�
  3. 快速開�(guān)速度:具有極短的開關(guān)�(shí)間,可顯著降低能量損��
  4. 耐高溫性能:能夠在高達(dá) 125°C 的環(huán)境溫度下�(wěn)定運(yùn)��
  5. �(qiáng)大的保護(hù)功能:集成過溫保�(hù)及過流保�(hù),確保系�(tǒng)可靠��
  6. 易于�(qū)動:低柵極電荷設(shè)�(jì)簡化了驅(qū)動電路的�(shè)�(jì)要求�

�(yīng)�

1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的快充解決方案�
  2. 中小功率 DC-DC �(zhuǎn)換器� AC-DC 適配��
  3. 無線充電�(fā)射端和接收端模塊�
  4. LED 照明�(qū)動器中的高效�(zhuǎn)換部��
  5. 可再生能源領(lǐng)域的微型逆變��
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻電源轉(zhuǎn)換模��

替代型號

GAN008-650WSA
  GS66508B
  TX810GAN

ga0805a181kxbbc31g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ga0805a181kxbbc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-