GA0805A181KXBBC31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效率功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),適用于高頻開關(guān)�(yīng)用,如電源適配器、無線充電設(shè)備和 LED �(qū)動器等。其卓越的性能來源于氮化鎵材料的低電阻特性和快速開�(guān)能力,從而實(shí)�(xiàn)更高的功率密度和更小的體積設(shè)�(jì)�
GaN 器件相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損�,這使� GA0805A181KXBBC31G 在高頻工作條件下表現(xiàn)尤為出色�
型號:GA0805A181KXBBC31G
類型:增�(qiáng)型功率晶體管
材料:GaN(氮化鎵�
最大漏源電壓:650 V
最大連續(xù)漏極電流�8 A
柵極閾值電壓:1.5 V - 3 V
RDS(on)(典型值)�18 mΩ
總功耗:200 W
封裝形式:DFN8 (2x2mm)
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
1. 高效開關(guān)能力:得益于 GaN 材料的獨(dú)特優(yōu)�,此器件在高頻條件下表現(xiàn)出極低的開關(guān)損耗�
2. 小尺寸設(shè)�(jì):采� DFN8 封裝,節(jié)� PCB 空間并支持緊湊型�(chǎn)品設(shè)�(jì)�
3. 快速開�(guān)速度:具有極短的開關(guān)�(shí)間,可顯著降低能量損��
4. 耐高溫性能:能夠在高達(dá) 125°C 的環(huán)境溫度下�(wěn)定運(yùn)��
5. �(qiáng)大的保護(hù)功能:集成過溫保�(hù)及過流保�(hù),確保系�(tǒng)可靠��
6. 易于�(qū)動:低柵極電荷設(shè)�(jì)簡化了驅(qū)動電路的�(shè)�(jì)要求�
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的快充解決方案�
2. 中小功率 DC-DC �(zhuǎn)換器� AC-DC 適配��
3. 無線充電�(fā)射端和接收端模塊�
4. LED 照明�(qū)動器中的高效�(zhuǎn)換部��
5. 可再生能源領(lǐng)域的微型逆變��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻電源轉(zhuǎn)換模��
GAN008-650WSA
GS66508B
TX810GAN