GA0805A271GBBBR31G 是一款高性能� MOSFET 場效應晶體管,專為高頻開關應用設計。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和快速開關速度的特�,適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開關等場景�
其封裝形式為 LFPAK88 封裝,能夠提供出色的散熱性能和高電流承載能力,同時確保在高頻工作條件下的�(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�26A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�48nC
總電容:950pF
功耗:13W
工作溫度范圍�-55� � +175�
該芯片具有以下顯著特點:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),可以有效減少功率損�,提高整體效��
2. 快速開關性能,適合高頻應�,例如開關電源和電機�(qū)動控��
3. 高耐用性設�,能夠在極端溫度條件下可靠運行�
4. �(nèi)� ESD 保護機制,增強了器件對靜電放電的抵抗能力�
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保,無有害物�(zhì)使用�
GA0805A271GBBBR31G 廣泛應用于各種電子設備中,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關�
2. 筆記本電腦及平板電腦的電池管理系�(tǒng)�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和電機控制�
4. 工業(yè)自動化設備中的電源管理和信號�(diào)節(jié)�
5. 其他需要高效功率傳輸和快速響應的應用場景�
IRF7832, FDP5500, AON7802