時間：2025/5/16 17:43:11
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GA0805A271GBBBR31G 是一款高性能的 MOSFET 場效應晶體管，專為高頻開關應用設計。該器件采用先進的制造工藝，具備低導通電阻和快速開關速度的特點，適用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關等場景。
其封裝形式為 LFPAK88 封裝，能夠提供出色的散熱性能和高電流承載能力，同時確保在高頻工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
最大漏源電壓：40V
連續(xù)漏極電流：26A
導通電阻：1.5mΩ
柵極電荷：48nC
總電容：950pF
功耗：13W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
該芯片具有以下顯著特點：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，可以有效減少功率損耗，提高整體效率。
2. 快速開關性能，適合高頻應用，例如開關電源和電機驅(qū)動控制。
3. 高耐用性設計，能夠在極端溫度條件下可靠運行。
4. 內(nèi)置 ESD 保護機制，增強了器件對靜電放電的抵抗能力。
5. 符合 RoHS 標準，綠色環(huán)保，無有害物質(zhì)使用。
GA0805A271GBBBR31G 廣泛應用于各種電子設備中，包括但不限于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關。
2. 筆記本電腦及平板電腦的電池管理系統(tǒng)。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和電機控制。
4. 工業(yè)自動化設備中的電源管理和信號調(diào)節(jié)。
5. 其他需要高效功率傳輸和快速響應的應用場景。
IRF7832, FDP5500, AON7802
