GA0805A5R6BBEBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率晶體管,采用先進的增強型場效應(yīng)晶體管(e-mode HEMT)設(shè)計。該器件適用于高頻、高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用,例如開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及太陽能逆變器等領(lǐng)域。其出色的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻使其成為傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方案。
該型號采用了底部散熱封裝,能夠有效提高熱性能,同時支持更高的功率密度。此外,由于其內(nèi)置的保護功能和穩(wěn)定的電氣特性,GA0805A5R6BBEBR31G在各種工業(yè)和消費類應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
額定電壓:650V
導(dǎo)通電阻:45mΩ
連續(xù)漏極電流:8A
柵極電荷:25nC
反向恢復(fù)時間:<10ns
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
封裝類型:TO-247-3L
1. 高擊穿電壓,確保在高壓條件下可靠運行。
2. 極低的導(dǎo)通電阻,減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
3. 快速開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用。
4. 內(nèi)置ESD保護,提升器件的抗靜電能力。
5. 熱阻較低,有助于優(yōu)化散熱性能。
6. 高功率密度設(shè)計,支持更緊湊的電路布局。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛工藝制造。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)元件。
2. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心組件。
3. 太陽能微型逆變器及儲能系統(tǒng)。
4. 電動車充電設(shè)備中的功率級模塊。
5. 工業(yè)電機驅(qū)動及控制單元。
6. LED驅(qū)動器和照明系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)部分。
GAN063-650WSA, IRG1006ZPBF, FDP177N65SBD