GA0805A8R2CBBBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高功率�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,具有低寄生電感和出色的熱性能,能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少系統(tǒng)尺寸�
這款 GaN 器件適用于要求高性能、高效能和快速開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電模塊以及激光雷�(dá)�(qū)�(dòng)��
額定電壓�650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:28mΩ
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 5MHz
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝�(lèi)型:LFPAK88
GA0805A8R2CBBBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高擊穿電壓:650V 的耐壓能力使其適合高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低�(dǎo)通電阻:僅為 28mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損�,提升整體效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:由于其超低的柵極電荷(45nC�,可以實(shí)�(xiàn) MHz �(jí)別的�(kāi)�(guān)速度�
4. 出色的熱管理:優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)使得熱量更容易散�(fā),從而提高了器件在高�(fù)載條件下的可靠��
5. 小型化設(shè)�(jì):與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,GaN 技�(shù)允許使用更小體積的元�,同�(shí)保持相同的電氣性能�
6. 零反向恢�(fù)電荷:消除了因體二極管引起的能量損失�(wèn)��
該型�(hào)廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
2. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
3. 電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)�(shè)�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
5. 激光雷�(dá)脈沖�(qū)�(dòng)
6. �(wú)線電力傳輸設(shè)�
7. 太陽(yáng)能微型逆變�
GAN063-650WSA
GAN10T650QA
Transphorm TP65H090G4LS
EPC2016C