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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805A8R2CBBBR31G

GA0805A8R2CBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 19:38:09 查看 閱讀�13

GA0805A8R2CBBBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻和高功率�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,具有低寄生電感和出色的熱性能,能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少系統(tǒng)尺寸�
  這款 GaN 器件適用于要求高性能、高效能和快速開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電模塊以及激光雷�(dá)�(qū)�(dòng)��

參數(shù)

額定電壓�650V
  連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:28mΩ
  柵極電荷�45nC
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 5MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝�(lèi)型:LFPAK88

特�

GA0805A8R2CBBBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓:650V 的耐壓能力使其適合高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 極低�(dǎo)通電阻:僅為 28mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損�,提升整體效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:由于其超低的柵極電荷(45nC�,可以實(shí)�(xiàn) MHz �(jí)別的�(kāi)�(guān)速度�
  4. 出色的熱管理:優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)使得熱量更容易散�(fā),從而提高了器件在高�(fù)載條件下的可靠��
  5. 小型化設(shè)�(jì):與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,GaN 技�(shù)允許使用更小體積的元�,同�(shí)保持相同的電氣性能�
  6. 零反向恢�(fù)電荷:消除了因體二極管引起的能量損失�(wèn)��

�(yīng)�

該型�(hào)廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
  2. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  3. 電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)�(shè)�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  5. 激光雷�(dá)脈沖�(qū)�(dòng)
  6. �(wú)線電力傳輸設(shè)�
  7. 太陽(yáng)能微型逆變�

替代型號(hào)

GAN063-650WSA
  GAN10T650QA
  Transphorm TP65H090G4LS
  EPC2016C

ga0805a8r2cbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容8.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-