国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA0805A8R2CBEBR31G

GA0805A8R2CBEBR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/15 17:32:49 查看 閱讀:19

GA0805A8R2CBEBR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻、高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計。該器件具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點,適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源適配器以及其他需要高性能功率管理的場景。
  相比傳統(tǒng)的硅基 MOSFET,GaN 器件能夠在更高的頻率下運行,同時保持較低的損耗,從而顯著提高系統(tǒng)的效率和功率密度。

參數(shù)

型號:GA0805A8R2CBEBR31G
  類型:GaN HEMT
  封裝:Chipscale Package (CSP)
  最大漏源電壓:650V
  最大柵極電壓:6V
  導通電阻(典型值):40mΩ
  連續(xù)漏極電流:8A
  開關(guān)頻率范圍:高達 5MHz
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C

特性

GA0805A8R2CBEBR31G 的主要特性包括:
  1. 高效性能:得益于 GaN 技術(shù),該器件在高頻操作中表現(xiàn)出卓越的效率和更低的熱損耗。
  2. 快速開關(guān)速度:與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,其開關(guān)速度更快,能夠支持更高的工作頻率,從而減小無源元件的尺寸。
  3. 低寄生電感:采用 CSP 封裝,最大限度地減少了寄生效應(yīng),提高了整體性能。
  4. 緊湊型設(shè)計:由于其高頻能力,可實現(xiàn)更小型化的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
  5. 高可靠性:經(jīng)過嚴格測試,確保在寬泛的工作溫度范圍內(nèi)具備出色的穩(wěn)定性和耐用性。
  這些特性使 GA0805A8R2CBEBR31G 成為現(xiàn)代高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

GA0805A8R2CBEBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 電源適配器:用于便攜式設(shè)備如筆記本電腦和智能手機的充電解決方案。
  2. 數(shù)據(jù)中心電源:提供高效的 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換功能。
  3. 汽車電子:適用于電動汽車車載充電器(OBC)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  4. 工業(yè)電源:用于高效率、高密度的工業(yè)級電源供應(yīng)。
  5. 可再生能源:例如太陽能逆變器中的功率模塊。
  通過利用其高頻和高效性能,該器件可幫助設(shè)計工程師實現(xiàn)更緊湊、更輕量化且更具成本效益的電力電子系統(tǒng)。

替代型號

GAN0805A8R2CBEBR21G
  GAN0806A8R2CBEBR31G

ga0805a8r2cbebr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容8.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-