GA0805H122MBABR31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效功率芯�,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器等�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的封裝工�,具有高效率、低損耗和高集成度的特�(diǎn),能夠顯著提升電力電子系�(tǒng)的性能�
GaN 技�(shù)以其卓越的材料特性(如高電子遷移率和高擊穿電�(chǎng))為新一代功率器件提供了�(qiáng)大的支持,使其在高頻和高功率密度�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)�(yōu)��
型號(hào):GA0805H122MBABR31G
工作電壓�100V
額定電流�8A
RDS(on)�7.5mΩ
柵極�(qū)�(dòng)電壓�4.5V~6V
�(jié)溫范圍:-55℃~175�
封裝形式:PQFN5*6
GA0805H122MBABR31G 的主要特性包括:
1. 高效的開�(guān)性能:得益于 GaN 材料的優(yōu)異特�,其開關(guān)頻率可達(dá)�(shù) MHz,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET�
2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 7.5mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體效率�
3. 快速的開關(guān)速度:由于不存在反向恢復(fù)電荷,其開關(guān)損耗顯著降��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高達(dá) 175� 的結(jié)溫下�(wěn)定運(yùn)行,適用于嚴(yán)苛的工作�(huán)��
5. 小型化設(shè)�(jì):采� PQFN5*6 封裝,節(jié)� PCB 空間,便于系�(tǒng)小型��
6. 高可靠性:通過多項(xiàng)�(yán)格的�(cè)試驗(yàn)�,確保長期使用的�(wěn)定��
GA0805H122MBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻開關(guān)電源:用于服�(wù)�、通信�(shè)備等高性能電源模塊�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器:特別適合需要高效率和小體積的應(yīng)用場(chǎng)��
3. 無線充電模塊:提升充電效率并減小模塊尺寸�
4. 汽車電子:如車載充電器和電動(dòng)助力系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換部分�
5. 工業(yè)自動(dòng)化:用于各類工業(yè)控制�(shè)備中的電源管理單��
GA0805H122MBABR31K
GA0805H122MBABR31L