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GA0805H122MBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 13:00:11 查看 閱讀:13

GA0805H122MBABR31G 是一款基于 GaN(氮化鎵)技術(shù)的高效功率芯片,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的封裝工藝,具有高效率、低損耗和高集成度的特點(diǎn),能夠顯著提升電力電子系統(tǒng)的性能。
  GaN 技術(shù)以其卓越的材料特性(如高電子遷移率和高擊穿電場(chǎng))為新一代功率器件提供了強(qiáng)大的支持,使其在高頻和高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異。

參數(shù)

型號(hào):GA0805H122MBABR31G
  工作電壓:100V
  額定電流:8A
  RDS(on):7.5mΩ
  柵極驅(qū)動(dòng)電壓:4.5V~6V
  結(jié)溫范圍:-55℃~175℃
  封裝形式:PQFN5*6

特性

GA0805H122MBABR31G 的主要特性包括:
  1. 高效的開關(guān)性能:得益于 GaN 材料的優(yōu)異特性,其開關(guān)頻率可達(dá)數(shù) MHz,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基 MOSFET。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為 7.5mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
  3. 快速的開關(guān)速度:由于不存在反向恢復(fù)電荷,其開關(guān)損耗顯著降低。
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在高達(dá) 175℃ 的結(jié)溫下穩(wěn)定運(yùn)行,適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
  5. 小型化設(shè)計(jì):采用 PQFN5*6 封裝,節(jié)省 PCB 空間,便于系統(tǒng)小型化。
  6. 高可靠性:通過多項(xiàng)嚴(yán)格的測(cè)試驗(yàn)證,確保長期使用的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

GA0805H122MBABR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 高頻開關(guān)電源:用于服務(wù)器、通信設(shè)備等高性能電源模塊。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:特別適合需要高效率和小體積的應(yīng)用場(chǎng)景。
  3. 無線充電模塊:提升充電效率并減小模塊尺寸。
  4. 汽車電子:如車載充電器和電動(dòng)助力系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換部分。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:用于各類工業(yè)控制設(shè)備中的電源管理單元。

替代型號(hào)

GA0805H122MBABR31K
  GA0805H122MBABR31L

ga0805h122mbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-