時間：2025/5/29 12:04:54
閱讀：13
GA0805H122MBBBR31G 是一款由日本廠商羅姆（ROHM）生產(chǎn)的功率半導體器件，具體為一種用于高頻開關(guān)應用的 MOSFET 芯片。該芯片基于先進的溝槽式技術(shù)制造，具備低導通電阻和快速開關(guān)速度的特點，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用場景。
這款 MOSFET 采用 TO-263-3 封裝形式，適合表面貼裝工藝，其設計目標是為工業(yè)設備和消費電子領(lǐng)域提供高效率和高可靠性的解決方案。
型號：GA0805H122MBBBR31G
品牌：ROHM
類型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源極電壓）：80V
Rds(on)（導通電阻）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（連續(xù)漏極電流）：58A
Qg（柵極電荷）：7nC（典型值）
EAS（雪崩能量）：32.5mJ
封裝：TO-263-3（D2PAK）
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
GA0805H122MBBBR31G 的主要特點是其出色的電氣性能與可靠性。它采用了 ROHM 先進的 MOSFET 制造工藝，從而實現(xiàn)了低導通電阻（4.5mΩ），這有助于降低功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外，其快速開關(guān)特性和低柵極電荷使得它非常適合高頻應用，能夠顯著減少開關(guān)損耗。
在熱管理方面，該器件具有較高的結(jié)溫耐受能力（最高可達 175°C），確保了即使在惡劣的工作條件下也能穩(wěn)定運行。同時，其良好的雪崩耐量（EAS）進一步增強了器件的魯棒性，使其能夠在異常情況或負載突變時保持正常工作。
最后，由于采用了 D2PAK 表面貼裝封裝，該產(chǎn)品不僅易于集成到現(xiàn)代 PCB 設計中，還能通過高效的散熱路徑支持大功率操作。
GA0805H122MBBBR31G 廣泛應用于需要高性能功率開關(guān)的場景，例如：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的主開關(guān)元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET 或高側(cè)開關(guān)。
3. 工業(yè)用電機驅(qū)動電路，如伺服控制器和逆變器模塊。
4. 電動車充電站和電池管理系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換部分。
5. 各類消費電子產(chǎn)品中的電源管理和負載切換功能。
其優(yōu)異的效率表現(xiàn)和寬廣的電壓/電流處理能力，使其成為這些應用的理想選擇。
GA0805H122MBB3R31G
