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GA0805H122MBBBR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 12:04:54 查看 閱讀:13

GA0805H122MBBBR31G 是一款由日本廠商羅姆(ROHM)生產(chǎn)的功率半導體器件,具體為一種用于高頻開關(guān)應用的 MOSFET 芯片。該芯片基于先進的溝槽式技術(shù)制造,具備低導通電阻和快速開關(guān)速度的特點,適用于高效能電源轉(zhuǎn)換、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用場景。
  這款 MOSFET 采用 TO-263-3 封裝形式,適合表面貼裝工藝,其設計目標是為工業(yè)設備和消費電子領(lǐng)域提供高效率和高可靠性的解決方案。

參數(shù)

型號:GA0805H122MBBBR31G
  品牌:ROHM
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源極電壓):80V
  Rds(on)(導通電阻):4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  Id(連續(xù)漏極電流):58A
  Qg(柵極電荷):7nC(典型值)
  EAS(雪崩能量):32.5mJ
  封裝:TO-263-3(D2PAK)
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

GA0805H122MBBBR31G 的主要特點是其出色的電氣性能與可靠性。它采用了 ROHM 先進的 MOSFET 制造工藝,從而實現(xiàn)了低導通電阻(4.5mΩ),這有助于降低功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外,其快速開關(guān)特性和低柵極電荷使得它非常適合高頻應用,能夠顯著減少開關(guān)損耗。
  在熱管理方面,該器件具有較高的結(jié)溫耐受能力(最高可達 175°C),確保了即使在惡劣的工作條件下也能穩(wěn)定運行。同時,其良好的雪崩耐量(EAS)進一步增強了器件的魯棒性,使其能夠在異常情況或負載突變時保持正常工作。
  最后,由于采用了 D2PAK 表面貼裝封裝,該產(chǎn)品不僅易于集成到現(xiàn)代 PCB 設計中,還能通過高效的散熱路徑支持大功率操作。

應用

GA0805H122MBBBR31G 廣泛應用于需要高性能功率開關(guān)的場景,例如:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)元件。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET 或高側(cè)開關(guān)。
  3. 工業(yè)用電機驅(qū)動電路,如伺服控制器和逆變器模塊。
  4. 電動車充電站和電池管理系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換部分。
  5. 各類消費電子產(chǎn)品中的電源管理和負載切換功能。
  其優(yōu)異的效率表現(xiàn)和寬廣的電壓/電流處理能力,使其成為這些應用的理想選擇。

替代型號

GA0805H122MBB3R31G

ga0805h122mbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-