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GA0805H123KBABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 12:56:12 查看 閱讀�2

GA0805H123KBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用了先進的溝槽� MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低能��
  這款芯片適合需要高效能與高可靠性的電力電子�(shè)備,廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制以及汽車電子等領(lǐng)��

參數(shù)

型號:GA0805H123KBABR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝:TO-263
  VDS(漏源極電壓):80V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
  IDS(連續(xù)漏極電流):50A
  柵極電荷�45nC
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  功耗:100W

特�

GA0805H123KBABR31G 的主要特性包括:
  1. 高效的溝槽式 MOSFET �(jié)�(gòu)�(shè)�,顯著降低導(dǎo)通電� RDS(on),從而減少功率損��
  2. 具備快速開�(guān)性能,能夠支持高頻操�,適�(yīng)�(xiàn)代電力電子設(shè)備對小型化和高效化的需��
  3. 提供出色的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下持續(xù)運行,并保持較高的可靠��
  4. �(nèi)� ESD 保護功能,增強器件在實際�(yīng)用中的抗靜電能力�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適用于廣泛的國際市場需��
  這些特點使得 GA0805H123KBABR31G 成為一種理想的選擇,尤其適用于需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場景�

�(yīng)�

GA0805H123KBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS),例� PC 電源適配�、服�(wù)器電源和充電器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于便攜式�(shè)�、通信�(shè)備及工業(yè)自動化系�(tǒng)�
  3. 電機�(qū)�,適用于家用電器、電動工具和工業(yè)控制�(shè)��
  4. 汽車電子,如電動車窗控制�、座椅調(diào)節(jié)系統(tǒng)和車載逆變��
  5. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場�,例� LED �(qū)動器和太陽能微逆變器�

替代型號

IRFZ44N
  FDP5800
  AUIRF9540

ga0805h123kbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-