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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805H152MBBBR31G

GA0805H152MBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 16:22:32 查看 閱讀�16

GA0805H152MBBBR31G是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的高功率射頻放大器芯片,主要應(yīng)用于�(wú)線通信�(lǐng)域中的射頻信�(hào)放大。該芯片采用了先�(jìn)的高電子遷移率晶體管(HEMT)技�(shù),能夠在高頻段提供卓越的增益和線性度表現(xiàn)。其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)高效�、低噪聲以及寬頻帶操作的需��
  這款芯片適用于基站、雷�(dá)、衛(wèi)星通信等高性能射頻�(yīng)用場(chǎng)合。它具有較高的輸出功率和較好的穩(wěn)定�,能夠承受較大的�(huán)境溫度變��

參數(shù)

�(lèi)型:射頻功率放大�
  工作頻率范圍�700MHz - 3GHz
  增益�15dB
  輸出功率(P1dB):46dBm
  飽和輸出功率�50dBm
  效率�40%
  電源電壓�5V
  靜態(tài)電流�800mA
  封裝形式:塑料密封QFN48
  工作溫度范圍�-40� � +85�

特�

GA0805H152MBBBR31G具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高輸出功�,在高頻段依然保持優(yōu)異性能�
  2. 寬廣的工作頻率范圍使其兼容多種無(wú)線通信�(biāo)�(zhǔn)�
  3. �(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),減少了外部元件需�,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
  4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適合長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)��
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì)降低了PCB空間占用�
  6. 在整�(gè)工作溫度范圍�(nèi)具備�(wěn)定的電氣特性�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各類(lèi)射頻�(shè)備中,包括但不限于:
  1. 4G/5G移動(dòng)通信基站中的功率放大模塊�
  2. 雷達(dá)系統(tǒng)的發(fā)射機(jī)部分�
  3. �(wèi)星通信地面站中的上行鏈路放大器�
  4. �(diǎn)�(duì)�(diǎn)微波通信鏈路中的信號(hào)增強(qiáng)��
  5. �(cè)試與�(cè)�?jī)x器中的高頻信�(hào)源驅(qū)�(dòng)組件�

替代型號(hào)

GA0805H152MBBBR32G
  GA0805H152MBBBR33G

ga0805h152mbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1500 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-