GA0805H183JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及開關(guān)電路等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
其設(shè)�(jì)旨在滿足高頻率和高電流應(yīng)用的需�,同�(shí)具備良好的熱性能和可靠性,適合工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域的多種�(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):GA0805H183JBABT31G
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-263
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):60A
Qg(柵極電荷)�25nC
fT(過渡頻率)�1.9MHz
Vgs(th)(閾值電壓)�2.5V
BVDSS(擊穿電壓)�60V
GA0805H183JBABT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷 (Qg),適用于高頻開關(guān)�(yīng)用�
3. 高額定電流能�,可支持高達(dá) 60A 的持�(xù)漏極電流�
4. 先�(jìn)的熱�(shè)�(jì),確保在高功率運(yùn)行時(shí)具備出色的散熱性能�
5. 出色的抗靜電能力 (ESD),提高了器件的可靠性和耐用��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品生�(chǎn)要求�
7. 封裝形式� TO-263,便于安裝和集成到各種電路板��
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是需要高效能控制的大功率電機(jī)�
3. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng) (BMS),用于電�(dòng)車或�(chǔ)能設(shè)��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和�(qū)�(dòng)�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的充電模塊和適配器�(shè)�(jì)�
6. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)和調(diào)光控制�
7. 各種需要高性能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��
GA0805H183JBABT21G, IRFZ44N, FDP5500