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GA0805H183JBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 13:04:08 查看 閱讀�15

GA0805H183JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及開關(guān)電路等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
  其設(shè)�(jì)旨在滿足高頻率和高電流應(yīng)用的需�,同�(shí)具備良好的熱性能和可靠性,適合工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域的多種�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):GA0805H183JBABT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝:TO-263
  Vds(漏源極電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
  Id(持�(xù)漏極電流):60A
  Qg(柵極電荷)�25nC
  fT(過渡頻率)�1.9MHz
  Vgs(th)(閾值電壓)�2.5V
  BVDSS(擊穿電壓)�60V

特�

GA0805H183JBABT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷 (Qg),適用于高頻開關(guān)�(yīng)用�
  3. 高額定電流能�,可支持高達(dá) 60A 的持�(xù)漏極電流�
  4. 先�(jìn)的熱�(shè)�(jì),確保在高功率運(yùn)行時(shí)具備出色的散熱性能�
  5. 出色的抗靜電能力 (ESD),提高了器件的可靠性和耐用��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子產(chǎn)品生�(chǎn)要求�
  7. 封裝形式� TO-263,便于安裝和集成到各種電路板��

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,特別是需要高效能控制的大功率電機(jī)�
  3. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng) (BMS),用于電�(dòng)車或�(chǔ)能設(shè)��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和�(qū)�(dòng)�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的充電模塊和適配器�(shè)�(jì)�
  6. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)�(dòng)和調(diào)光控制�
  7. 各種需要高性能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

GA0805H183JBABT21G, IRFZ44N, FDP5500

ga0805h183jbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-