GA0805H183JBBBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管。該器件專為高頻�、高效率的應(yīng)用場景設(shè)計,如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和無線充電設(shè)備等。相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,這款GaN晶體管具備更低的�(dǎo)通電�、更快的開關(guān)速度以及更高的工作頻�,從而顯著提升系�(tǒng)性能并減小整體尺寸�
其封裝形式采用增�(qiáng)散熱�(shè)�,能夠有效降低熱阻,確保在高功率�(yīng)用中的穩(wěn)定運��
型號:GA0805H183JBBBR31G
類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓(Vds):600V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):80mΩ(典型值,25°C�
連續(xù)漏極電流(Id):5A(Tc=25°C�
輸出電容(Coss):45pF(典型��10V�
輸入電容(Ciss):1250pF(典型��10V�
反向傳輸電容(Crss):75pF(典型��10V�
開關(guān)速度:支持高�(dá)5MHz的工作頻�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA0805H183JBBBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高速開�(guān)能力,使得其非常適合高頻�(yīng)�,如硬開�(guān)和軟開關(guān)�?fù)�?br> 3. �(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)�,簡化了電路�(shè)計并提高了系�(tǒng)的可靠��
4. 高擊穿電壓(Vds)使其適用于高壓�(huán)境,例如電動車充電器和工�(yè)電源�
5. 良好的熱性能,通過先�(jìn)的封裝技�(shù)�(jìn)一步提升了器件的散熱能��
6. 具備�(qiáng)大的短路耐受能力,能夠在極端條件下提供額外的安全保護(hù)�
這些特性共同作�,使該器件成為新一代高效功率轉(zhuǎn)換解決方案的理想選擇�
GA0805H183JBBBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,包括AC-DC適配器和USB-PD快充模塊�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在需要高效率和小體積的設(shè)計中�
3. 無線充電�(fā)射端和接收端�(shè)�,以實現(xiàn)更高效的能量傳輸�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動器和逆變�,用于可再生能源系統(tǒng)和電動車��
5. 汽車電子系統(tǒng),例如車載充電器(OBC)和DC-DC變換��
6. 消費類電子產(chǎn)�,如筆記本電�、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理單元�
由于其出色的性能,這款GaN晶體管可以滿足多種高性能�(yīng)用場景的需��
GA0805H183JBBBR28G, GA0805H183JBBBR32G