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GA0805H183JBBBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 10:14:38 查看 閱讀�20

GA0805H183JBBBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管。該器件專為高頻�、高效率的應(yīng)用場景設(shè)計,如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和無線充電設(shè)備等。相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,這款GaN晶體管具備更低的�(dǎo)通電�、更快的開關(guān)速度以及更高的工作頻�,從而顯著提升系�(tǒng)性能并減小整體尺寸�
  其封裝形式采用增�(qiáng)散熱�(shè)�,能夠有效降低熱阻,確保在高功率�(yīng)用中的穩(wěn)定運��

參數(shù)

型號:GA0805H183JBBBR31G
  類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
  最大漏源電壓(Vds):600V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):80mΩ(典型值,25°C�
  連續(xù)漏極電流(Id):5A(Tc=25°C�
  輸出電容(Coss):45pF(典型��10V�
  輸入電容(Ciss):1250pF(典型��10V�
  反向傳輸電容(Crss):75pF(典型��10V�
  開關(guān)速度:支持高�(dá)5MHz的工作頻�
  封裝形式:TO-263(D2PAK�

特�

GA0805H183JBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高速開�(guān)能力,使得其非常適合高頻�(yīng)�,如硬開�(guān)和軟開關(guān)�?fù)�?br>  3. �(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)�,簡化了電路�(shè)計并提高了系�(tǒng)的可靠��
  4. 高擊穿電壓(Vds)使其適用于高壓�(huán)境,例如電動車充電器和工�(yè)電源�
  5. 良好的熱性能,通過先�(jìn)的封裝技�(shù)�(jìn)一步提升了器件的散熱能��
  6. 具備�(qiáng)大的短路耐受能力,能夠在極端條件下提供額外的安全保護(hù)�
  這些特性共同作�,使該器件成為新一代高效功率轉(zhuǎn)換解決方案的理想選擇�

�(yīng)�

GA0805H183JBBBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�,包括AC-DC適配器和USB-PD快充模塊�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在需要高效率和小體積的設(shè)計中�
  3. 無線充電�(fā)射端和接收端�(shè)�,以實現(xiàn)更高效的能量傳輸�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動器和逆變�,用于可再生能源系統(tǒng)和電動車��
  5. 汽車電子系統(tǒng),例如車載充電器(OBC)和DC-DC變換��
  6. 消費類電子產(chǎn)�,如筆記本電�、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理單元�
  由于其出色的性能,這款GaN晶體管可以滿足多種高性能�(yīng)用場景的需��

替代型號

GA0805H183JBBBR28G, GA0805H183JBBBR32G

ga0805h183jbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-