GA0805H183MBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
此型號(hào)屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,支持高頻率操作,同時(shí)具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:50A
導(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷:27nC
開關(guān)時(shí)間:ton=11ns, toff=19ns
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效減少功率損耗。
2. 快速的開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用。
3. 高電流承載能力,滿足大功率需求。
4. 增強(qiáng)的熱穩(wěn)定性設(shè)計(jì),確保在極端條件下可靠運(yùn)行。
5. 小型封裝尺寸,便于 PCB 布局優(yōu)化。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛材料。
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開關(guān)管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET。
3. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
5. 太陽能逆變器和其他新能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換組件。
6. 各種負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
IRFZ44N, FQP50N06L, STP55NF06