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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805H222MBBBT31G

GA0805H222MBBBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 15:48:28 查看 閱讀�18

GA0805H222MBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高效率并減少�(fā)熱�
  該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,適用于高頻率工作環(huán)境下的電力電子設(shè)�,支持大電流�(fù)載操�,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

�(lèi)型:MOSFET
  極性:N-Channel
  最大漏源電�(Vdss)�80V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�50A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
  柵極電荷(Qg)�45nC
  總電�(Ciss)�2200pF
  功�(PD)�160W
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55°C to 175°C

特�

GA0805H222MBBBT31G 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 2.2mΩ,這使其在高電流應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。此外,它的柵極電荷較低,有助于�(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度,并減少�(kāi)�(guān)損�。器件的高耐壓能力 (80V) 和強(qiáng)大的電流承載能力 (50A) 使得它適合于工業(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用。該芯片還擁有寬泛的工作溫度范圍 (-55°C � 175°C),�(jìn)一步提升了其在極端條件下的適應(yīng)性�
  此款 MOSFET 還采用了 TO-247 封裝,便于散熱管理,從而提高了整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種需要高效能量轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)合,包括但不限于以下�(lǐng)域:
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  - 工業(yè)逆變�
  - 太陽(yáng)能微逆變�
  - 電動(dòng)�(chē)充電系統(tǒng)
  - 高效 LED �(qū)�(dòng)電路
  由于其出色的性能表現(xiàn),GA0805H222MBBBT31G 成為�(shè)�(jì)工程師在�(kāi)�(fā)高效�、高功率密度�(chǎn)品的首選元器件之一�

替代型號(hào)

GA0805H222MBBCT31G
  IRFP2907
  FDP057N06L

ga0805h222mbbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-