GA0805H222MBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高效率并減少�(fā)熱�
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,適用于高頻率工作環(huán)境下的電力電子設(shè)�,支持大電流�(fù)載操�,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠��
�(lèi)型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電�(Vdss)�80V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�50A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
總電�(Ciss)�2200pF
功�(PD)�160W
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55°C to 175°C
GA0805H222MBBBT31G 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 2.2mΩ,這使其在高電流應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。此外,它的柵極電荷較低,有助于�(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度,并減少�(kāi)�(guān)損�。器件的高耐壓能力 (80V) 和強(qiáng)大的電流承載能力 (50A) 使得它適合于工業(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用。該芯片還擁有寬泛的工作溫度范圍 (-55°C � 175°C),�(jìn)一步提升了其在極端條件下的適應(yīng)性�
此款 MOSFET 還采用了 TO-247 封裝,便于散熱管理,從而提高了整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種需要高效能量轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)合,包括但不限于以下�(lǐng)域:
- �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 工業(yè)逆變�
- 太陽(yáng)能微逆變�
- 電動(dòng)�(chē)充電系統(tǒng)
- 高效 LED �(qū)�(dòng)電路
由于其出色的性能表現(xiàn),GA0805H222MBBBT31G 成為�(shè)�(jì)工程師在�(kāi)�(fā)高效�、高功率密度�(chǎn)品的首選元器件之一�
GA0805H222MBBCT31G
IRFP2907
FDP057N06L