類(lèi)型：MOSFET
　　極性：N-Channel
　　最大漏源電壓(Vdss)：80V
　　最大連續(xù)漏極電流(Id)：50A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.2mΩ
　　柵極電荷(Qg)：45nC
　　總電容(Ciss)：2200pF
　　功耗(PD)：160W
　　封裝形式：TO-247
　　工作溫度范圍：-55°C to 175°C

GA0805H222MBBBT31G 的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，僅為 2.2mΩ，這使其在高電流應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。此外，它的柵極電荷較低，有助于實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度，并減少開(kāi)關(guān)損耗。器件的高耐壓能力 (80V) 和強(qiáng)大的電流承載能力 (50A) 使得它適合于工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用。該芯片還擁有寬泛的工作溫度范圍 (-55°C 至 175°C)，進(jìn)一步提升了其在極端條件下的適應(yīng)性。
　　此款 MOSFET 還采用了 TO-247 封裝，便于散熱管理，從而提高了整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性與可靠性。

這款功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于各種需要高效能量轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)合，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　- 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
　　- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
　　- 工業(yè)逆變器
　　- 太陽(yáng)能微逆變器
　　- 電動(dòng)車(chē)充電系統(tǒng)
　　- 高效 LED 驅(qū)動(dòng)電路
　　由于其出色的性能表現(xiàn)，GA0805H222MBBBT31G 成為設(shè)計(jì)工程師在開(kāi)發(fā)高效率、高功率密度產(chǎn)品的首選元器件之一。

GA0805H222MBBCT31G
　　IRFP2907
　　FDP057N06L