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GCQ1555C1H7R8WB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 9:36:03 查看 閱讀�2

GCQ1555C1H7R8WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,適合大�(guī)模自�(dòng)化生�(chǎn)�

參數(shù)

型號:GCQ1555C1H7R8WB01D
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型值)
  總功耗:20W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝:TO-263

特�

GCQ1555C1H7R8WB01D的核心優(yōu)勢在于其低導(dǎo)通電阻和高效率表�(xiàn)。其1.5mΩ的典型導(dǎo)通電阻能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,尤其適用于大電流應(yīng)用場��
  此外,該器件具有快速開�(guān)能力,可有效減少開關(guān)損�,并且具備良好的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下仍能保持可靠�(yùn)��
  �(nèi)置的ESD保護(hù)電路�(jìn)一步增�(qiáng)了產(chǎn)品的耐用�,使其能夠在�(yán)苛的工業(yè)�(huán)境中長期使用。同�(shí),其緊湊的封裝設(shè)�(jì)有助于節(jié)省PCB空間,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效能的需求�

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛用于各類電力電子系統(tǒng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)的�(shè)�(jì)與優(yōu)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
  3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)以及逆變器模塊�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)電路�

替代型號

GCQ1555C1H7R8WB02D
  IRF3205
  FDP5500
  STP55NF06L

gcq1555c1h7r8wb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

gcq1555c1h7r8wb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�10,000 : �0.58840卷帶(TR�
  • 系列GCQ
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容7.8 pF
  • 容差±0.05pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�RF,微�,高�,汽車級
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-