GA0805H273KBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率和可靠��
這款功率 MOSFET 通常� N 溝道增強(qiáng)型形式存�,其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求�
類型:N溝道 MOSFET
漏源極電�(Vds)�60V
柵源極電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�5.6A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ
功�(PD)�24W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA0805H273KBABT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少�(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器� PWM 控制電路�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐受能力�
4. 熱穩(wěn)定性出�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)��
5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),有助于降低 PCB 占用空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)需��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
GA0805H273KBABT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
2. 各種類型� DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降壓、升壓和反激式轉(zhuǎn)換器�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,提供過流保�(hù)等功��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 通信�(shè)備中的電源管理單元�
GA0805H273KBABT31F, IRF540N, FQP50N06L