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GA0805H273KBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 14:55:52 查看 閱讀�22

GA0805H273KBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率和可靠��
  這款功率 MOSFET 通常� N 溝道增強(qiáng)型形式存�,其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  漏源極電�(Vds)�60V
  柵源極電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�5.6A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ
  功�(PD)�24W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特�

GA0805H273KBABT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少�(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器� PWM 控制電路�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐受能力�
  4. 熱穩(wěn)定性出�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)��
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),有助于降低 PCB 占用空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)需��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

GA0805H273KBABT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件�
  2. 各種類型� DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降壓、升壓和反激式轉(zhuǎn)換器�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,提供過流保�(hù)等功��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 通信�(shè)備中的電源管理單元�

替代型號

GA0805H273KBABT31F, IRF540N, FQP50N06L

ga0805h273kbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-