GA0805H332MBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電路以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合在高頻開關(guān)�(yīng)用中使用。此外,其封裝形式緊�,便于集成到各種電子�(shè)備中�
型號:GA0805H332MBABT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:30V
最大柵極源極電壓:±20V
最大漏極電流:80A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
功耗:10W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263
GA0805H332MBABT31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5mΩ),能夠有效降低功率損��
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持良好的性能�
4. �(qiáng)大的電流承載能力�80A),適用于大功率�(fù)載控制�
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條件�
6. 封裝緊湊,便于PCB布局和系�(tǒng)�(shè)�(jì)�(yōu)化�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模��
2. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
4. LED照明系統(tǒng)的驅(qū)�(dòng)電路�
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電保�(hù)電路�
6. 汽車電子中的啟動(dòng)和停止控制系�(tǒng)�
7. 各類高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�
IRF3205
FDP16N06L
AON7819
STP80NF06L