GA0805H682JBABT31G 是一款高性能的汽車級功率 MOSFET,專為高效率和低損耗的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。這款器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)性能,適合用于車載電源管理系�(tǒng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等場景。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,能夠提供出色的散熱性能和電氣穩(wěn)定性�
該型號屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET,支持高電流操作,并具備較高的雪崩擊穿能力和反向恢復(fù)特�,非常適合需要高可靠性的汽車電子�(yīng)��
類型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電�(V_DS)�60V
最大柵源電�(V_GS):�20V
最大漏極電�(I_D)�59A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�2.5mΩ
總功�(P_TOT)�175W
工作溫度范圍(T_J)�-40°C to +175°C
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
符合�(biāo)�(zhǔn):AEC-Q101
GA0805H682JBABT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on) = 2.5mΩ @ V_GS=10V�,有效降低導(dǎo)通損��
2. 支持高達(dá) 59A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用場景需��
3. 高效的熱管理能力,得益于 D2PAK 封裝的卓越散熱性能�
4. 工作溫度范圍寬廣,覆� -40°C � +175°C,適用于�(yán)苛環(huán)��
5. 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),確保在汽車�(yīng)用中的可靠性與耐用��
6. 提供快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率�
7. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗靜電能力�
8. 緊湊的封裝設(shè)�(jì)節(jié)省了 PCB 空間,同�(shí)保證了良好的電氣連接性能�
GA0805H682JBABT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器�
2. 混合動力及電動汽車的電池管理系統(tǒng)�
3. 車載充電器和電力分配模塊�
4. 高效電機(jī)�(qū)動器和伺服控制系�(tǒng)�
5. 工業(yè)�(shè)備中的開�(guān)電源和負(fù)載切換電��
6. 太陽能微逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換裝置�
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和低能耗的場合�
GA0805H682JBAT31G
IRF540N
FDP5800
STP55NF06L