GA0805Y153MXCBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT),屬于 GaN Systems 公司推出的 GS 系列產品。該器件采用增強型結構,具有低導通電阻、高開關速度和高效率的特點,專為高頻功率轉換應用而設計。
這款 GaN 器件能夠顯著提升電源系統(tǒng)的性能,降低能量損耗,并縮小整體系統(tǒng)尺寸。它非常適合用于 DC-DC 轉換器、AC-DC 電源、電機驅動器以及可再生能源領域中的高效功率轉換場景。
型號:GA0805Y153MXCBR31G
類型:增強型 GaN HEMT
工作電壓:650 V
連續(xù)漏極電流:8 A
導通電阻:150 mΩ
柵極電荷:24 nC
輸入電容:1750 pF
最大工作結溫:175 °C
封裝形式:8x8 mm QFN
GA0805Y153MXCBR31G 擁有以下顯著特性:
1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的優(yōu)異特性,該器件具備超低導通電阻和快速開關能力,從而實現(xiàn)更高的效率。
2. 減小系統(tǒng)尺寸:相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,其高頻工作能力可以減少無源元件(如電感和電容)的體積,從而減小整體解決方案的尺寸。
3. 熱性能優(yōu)異:優(yōu)化的封裝設計確保了良好的散熱性能,能夠在高功率密度下穩(wěn)定運行。
4. 易于驅動:較低的柵極電荷需求使得驅動電路設計更加簡單且成本更低。
5. 高可靠性:經過嚴格測試,可在寬溫度范圍內長期可靠工作。
GA0805Y153MXCBR31G 主要應用于以下領域:
1. 數(shù)據(jù)中心電源:用于高效的 AC-DC 和 DC-DC 轉換,滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心對能效的要求。
2. 工業(yè)電源:適用于各類工業(yè)設備中的高性能開關電源。
3. 消費類電子產品:包括快充適配器、筆記本電腦電源等。
4. 新能源領域:可用于太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率轉換模塊。
5. 電動車輛:支持車載充電器和牽引逆變器等關鍵部件的開發(fā)。
GS66508P
GS61008P